第3章半导体二极管、三极管和场效应管.pptVIP

Home Next Back 场效应管与晶体管的比较 ① 场效应管的漏极d 、栅极g和源极s分别对应晶体管的集电极c、基极b和发射极e，其作用类似。 ② 场效应管以栅-源电压控制漏极电流，是电压控制型器件，且只有多子参与导电，是单极性晶体管；三极管以基极电流控制集电极电流，是电流控制型器件，晶体管内既有多子又有少子参与导电，是双极性晶体管。 ? 场效应管的输入电阻远大于晶体管的输入电阻，其温度稳定性好、抗辐射能力强、噪声系数小。 ? 场效应管的漏极和源极可以互换，而互换后特性变化不大；晶体管的集电极和发射极互换后特性相差很大，只有在特殊情况下才互换使用。但要注意的是，场效应管的某些产品在出厂时，已将衬底和源极连接在一起，此时，漏极和源极不可以互换使用。 Home Next Back ? 场效应管的种类多，栅-源电压可正、可负，使用更灵活。 ? 场效应管集成工艺更简单、功耗小、工作电源电压范围宽，使之更多地应用于大规模和超大规模集成电路中。 ? 一般情况下，由晶体管构成的放大电路具有更高的电压放大倍数和输出功率。 思考题 场效应管符号中的箭头方向表示什么？ 为什么FET的输入电阻比BJT的高得多？为什么MOSFET比JFET的输入电阻高？ 场效应管正常放大时，导电沟道处于什么状态？ 使用MOS管应注意些什么？ VP VDS Home Next Back 例 题 例3.4已知各场效应管的输出特性曲线如图3.29 所示。试分析各管子的类型。 图3.29 例3.4图 Home Next Back 解: (a) iD0（或vDS0），则该管为N沟道； vGS?0，故为JFET（耗尽型）。 (b) iD0（或vDS0），则该管为P沟道； vGS0，故为增强型MOS管。 (c) iD0（或vDS0），则该管为N沟道； vGS可正、可负，故为耗尽型MOS管。 提示： 场效应管工作于恒流区：（1） N沟道增强型MOS管：VDS0, VGSVGS(th) 0；P沟道反之。 （2） N沟道耗尽型MOS管： VDS0, VGS可正、可负，也可为0；P沟道反之。 （3） N沟道JFET： VDS0, V GS0 ；P沟道反之。 Home Next Back 图3.30 例1.4.2图 例3.5 电路如图3.30(a) 所示，场效应管的输出特性如图3.30(b) 所示 。试分析当uI=2V、8V、12V三种情况下，场效应管分别工作于什么区域。 Home Next Back (c)当uI=10V 时，假设管子工作于恒流区，此时iD=2mA，故uO =uDS =VDD - iD Rd= 18-2?8=2V， uDS - VGS(th) =2-6=-4V，显然小于uGS =10V时的预夹断电压，故假设不成立 ，管子工作于可变电阻区。此时，Rds?uDS/iD=3V/1mA=3k，故 解: (a)当uI=2V 时， uI=uGS VGS(th) ，场效应管工作于夹断区，iD=0，故uO=VDD- iD Rd= VDD =18V。 (b)当uI=8V 时，假设管子工作于恒流区，此时iD=1mA，故uO =uDS =VDD - iD Rd= 18-1?8=10V， uDS - VGS(th) =10-4=6V，大于uDS =10V时的预夹断电压，故假设成立 。 Home Next Back 图3.31 解：由图中得N沟道JFET的vGS=0，此时， iD=IDSS=4mA。 而uDS|VGS(off)|=4V ，所以 vOmax=VDD -4V=12 –4=8V ，故 RL= vO / IDSS =(0~8V)/4mA=(0~2)k 。 例3.6 电路如图3.31 所示，场效应管的夹断电压VGS(off)=-4V，饱和漏极电流IDSS=4mA。为使场效应管工作于恒流区，求RL的取值范围。 Home Back 小 结 本讲主要介绍了以下基本内容： 场效应管的结构和类型 场效应管的工作原理 场效应管的特性曲线 场效应管的主要参数 场效应管与晶体管的比较 (a)点接触型 二极管的结构示意图 (b)面接触型 二极管的结构示意图 (c)平面型 二极管的结构示意图 阴极 引线 阳极 引线 P N P 型支持衬底 图3.32 结型场效应管的工作原理 Back 3.2.2 电流分配和电流放大作用 （1）产生放大作用的条件 内部：a）发射