西安电子微波技术基础—35 腔微扰.ppt

可知 矢量循环公式 对于(35-16)式左边 可移至右边 清楚得到 或 亦处于法向 上面两种均属我们讨论的特殊情况，对于一般公式可写出 * * 第35章 腔 微 扰 Perturbation of Cavity 在前面已经讨论了两部分：理想腔和耦合腔。现在将进一步讨论非理想腔。这里把非理想腔特指为腔内放物体，腔形状的改变等等。 此类问题严格说来必须从Maxwell方程组出发给出新模式。但是，对任意腔建立严格理论是十分困难的。 微扰法是认为腔内模式(Field)不变，而所变的只是谐振频率——这是场论计算中常用的近似方法。 一、腔内介质的微扰 我们画出问题中未受微扰腔和微扰腔，如图35-1所示，并提出如下的微扰约定： 1. 微扰改变 是一阶小量； 2. 场改变量 是一阶小量； 3. 是一阶小量； 4. 改变不很大。 在处理中将略去二阶以上量。 图 35-1 介质微扰腔 (a)未受扰腔 (b)微扰腔 一、腔内介质的微扰 介质微扰可以表示成 (35-1) (35-2) 写出相应的Maxwell方程组 一、腔内介质的微扰 (35-3) 又有 (35-4) 一、腔内介质的微扰 于是由矢量点积可得两组方程 (35-5) (35-6) 记住矢量公式 (35-7) 一、腔内介质的微扰 (35-8) (35-9) 把上面结果合在一起考虑为 (35-10) 一、腔内介质的微扰 再对两边作体积分 (35-11) 应用Gauss定理 (35-12) 一、腔内介质的微扰 (35-13) 一、腔内介质的微扰 (35-15) 对于理想导体的 壁条件有 (35-14) 所以得到 现在利用 在 内和 外不同的条件 一、腔内介质的微扰 (35-16) 上式中已计及 (35-17) 一、腔内介质的微扰 (35-18) 如果令 (35-19) 一、腔内介质的微扰 (35-20) (35-21) 只要 是一阶小量，即又有 满足?W是一阶小量的要求是 为一阶小量， 不很大，或者说 为一阶小量(这两者只要满足其中一个条件即可)。 一、腔内介质的微扰 对于 积分的能量 ，总有 ，而在 内如果相应 表面 均处于切向，则也有 且得到 (35-22a) 如果在 内相应 表面 均处于法向，则 一、腔内介质的微扰 于是 (35-22b) 一、腔内介质的微扰 (35-22c) 常见的 和 因子如图35-2所示。 一、腔内介质的微扰 图 35-2 介质样品的 和 一、腔内介质的微扰 其中 一、腔内介质的微扰 在微波工程中，矩形 腔中间放介质样品柱(其中， 取奇数)即构成介质样品腔，见图35-3所示 图 35-3 介质样品腔 二、介质样品腔 这种方法已规定为国标，已经知道 (35-23) 对于实际应用的情况是：利用未放介质样品腔时的频率 和放介质样品对应 求出介质 。 利用未放介质样品时腔的品质因数 和放介质样品对应的 求出介质的 。 二、介质样品腔 若写出 则有 (35-24) 实际上介质样品 很小，应用介质微扰结果 (35-25) 二、介质样品腔 上面结果已认为介质是电介质，也即 ，是常见的情况，考虑到谐振时有电能＝磁能 (35-26) 令 (35-27) 二、介质样品腔 设 (35-28) (35-29) 二、介质样品腔 注意在式(35-29)中必须把样品放在电场最强处，若在中间则必须 ，代式(35-27) (35-30) 式(35-30)是普通公式，具体问题有 (35-31) 二、介质样品腔 式(35-31)是利用谐振频率的变化求出介质样品 的公式。 对于一般有耗的复介质，可应用复频率 ，式(35-25)变为 (35-32) 令 代入有两部分 二、介质样品腔 (35-33) 计及 则有 二、介质样品腔 (35-34) (35-35) 最后导出 (35-36) 式(35-36)是利用品质因数的变化求出介质 。 二、介质样品腔