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2018-04-17 发布于河南
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氧化锌薄膜研究进展

第 15 卷第2期总第5 8期 Vo 1 . 15 No . 2 Materials Science Engineering June. 1997 310027 ZnO , Si C ZnO ZnO Progress of Study on ZnO Thin Film Li JianguangYe Zhizhen Zhao inhui State Key Laboratory of Silicon Zhejinag University Hangzhou 310027 AbstractVarious met ods to prepare t e ZnO t in films w ere review ed. T e main factors influencing t e structure of ZnO t in film were introduced. At t e same time, t e ig -qualit y, ZnO t in f ilm grow ed at - . C axis orientat ion on silicon substrat e by DC react ive magnetron sputtering was described , , Key Words ZnO T in film Magnet ron sputtering N , , [ 11] , , C , ZnO , , , ( BAW) , , 500 [ 7] ; 600 , C ZnO ( SAW) , , , , [ 15] , , CVD ZnO , , SiO 390 500 2 ; , ZnO , C ZnO , , , 480 , , , , , , , : 700nm , , [ 67] [811] ,