深亚微米MOS晶体管直流模型关键参数的研究.pdfVIP

lSSN100啦3044 卿胁胁刚b即a，ld『e曲n0坳电奠知识与技术 hUp：，』～，ww．dnzs．net．cn V01．6，No．30，0ctober20l Tel：+86_55l一56909635690964 o，pp．864l一8643 深亚微米MOS晶体管直流模型关键参数的研究 谢翠琴 (安徽职业技术学院信息工程系。安徽合肥230051) 进一步减小，生产工艺也发生了变化。在深亚微米的短沟道工艺下。原有的MoS3直流模型已不能有效地反映出MosFET的直流 特性了。该文在不考虑器件结构和物理工作特性的情况下，只对沟道中间低掺杂区域做模型。找出深亚微米Mos静态管直流模型 的关键参数。并提出对关键参数进行修正的方法。 关键词：MoS场效应管；直流模型；关键参数 中圈分类号：1P33l文献标识码：A 文章编号：lO凹一3044(20lO)30．8“l—∞ The PaIIamete幅R鹤朗rch∞meSub_micr仰MOST髓璐istorDCM0dd Key D神p XIECu卜qill andTechmcal (Info吼adonEn罢通ee血g CoⅡege，He缸23005l，Ch岫 D印a恤坨nt，^m血Vocational is Abstract：MoS3model dle of1um 1^，iththecondnuous ofinte一 weⅡapplicable南ra11alwis cha皿ellen蹲hde、，ice，but development circuit reduced，the 11asalso dle 舯ted techn0109y’chnnellength血rdler produc石ontechnologycharIged．Inde叩sub“cronProce骚，tlle Mos3Dcmo(1elhasnot renec协dleDccharacteris石csofMosFET．Herewedonotcollsiderdlesmlctureand de一 e妇融ctively physical 、rice for吐lemiddlelow out出e ofDc fo刑arddle ar吩，6nd workmgcharKtcdsdcs，ordy doped ky弘啪nletennlodd，缸试puts keypa_ fameters ofcorrec60nfnedlod． Keywords：MoSFET：DCModel；k吖paramet∞ 电路模拟的精确度很大程度上取决于模拟程序中采用的器件模型的精度。用于集成电路计算机辅助设计的MOSFET模型，近 2和BSIM 些年来发展很快。以SPICE仿真程序为例。在原有的MOSl、MOS2和MOS3的基础上．相继推出了BSIMl，BSIM3，以适应 不断减小的器件尺寸嘲。BSIM模型虽然比原MOS3半经验模型的精度更高，但模型自身的参数非常多。模型的计算也十分不利于 电路工程设计人员的使用．必须要有个精简的模型以供工程上的计算使用。 在目前的计算机技术下。用解析的方法求解LDD或HAL0结构的非均匀掺杂沟道区的泊松方程和电流连续性方程是不可能 晶体管的伏安特性起着次要作用，因此在MOSFET中主要仍然是沟道中间低掺杂区对器件阈值电压、载流子运动过程起着至关重 要的作用．所以在分析它的伏安特性时。我们暂时只讨论沟道中间区域的泊松方程和电流连续方