3薄膜的制备5cvd.ppt

1、原理： 硫化物、碳氢化合物、有机金属化合物等等，通过热分解、还原，气相化学反应制备薄膜。 例： SiH4 Si(固体)+2H2(气体) 2、装置图 3、金刚石多晶薄膜的制备 碳 金刚石结构-----面心立方点阵 晶格常数 a=3.566720? 由正四面体构成。正四面体结构非常稳定。其间的碳原子结合非常强。这是金刚石的硬度极大的原因。 化学性质： 20C°时金刚石非常稳定。 在真空中或惰性气体中1500C°时金刚石开始转变成石墨。 氧气中，660C°时金刚石表面开始氧化。 硝酸钠等氧化剂中，430C°时金刚石会被腐蚀。 金刚石在高温下与W、Ta、Ti等反应生成碳化物。 光学性质：折射率2.417(钠的D线λ=5893?） （与一般玻璃的1.5比较要大很多） 热性质： 室温时热传导率20~21W ?cm/K （铜：4.85 W ?cm/K ） 机械性质：硬度：10摩氏硬度； 蓝宝石9，碳化硅8 电性质：电阻率：1016Ωcm 直流放电等离子体CVD装置 金刚石薄膜的制备 CH4+H2 C+2H2 在上表的条件下，5*5mm的衬底上生长速度为20微米/小时。薄膜为透明的乳白色金刚石膜。 增大放电电流和气体压强，可以获得最高速度150微米/小时的生长速度。 微波等离子体CVD装置 磁控微波等离子体CVD装置 金刚石薄膜的拉曼光谱 （a）CH4/H2=2%（b） CH4/H2=0.5% （c）显微拉曼 拉曼光谱（a）天然金刚石、 (b)气相沉积法金刚石 End