超大规模集成电路设计基础-第六章.ppt

第六章 MOSFET的电气特性 6.1 MOS物理学 MOSFET栅下的电荷移动只有在建立了导电通道，即沟道时才会发生。 漏电流Idn由器件上的外加电压控制。 为了描述场效应，引入表面电荷密度Qs概念，所以 由于QS代表了在半导体表面的所有电荷，而这些电荷的性质又取决于外加栅电压，所以MOS的物理过程很复杂。 下图是MOS中电场的情况，将氧化层的垂直尺度放大。 氧化层电场Eox和表面电场Es方向如图所示。 Es控制着半导体表面的表面电荷密度，这是由于电场对带电粒子存在电场力F。所以有 VG由0增加到一个较小的正值时，半导体表面产生负电荷，它称为体电荷密度QB0。 体电荷是由于在p型衬底中存在硼原子，是一个受主，能俘获并且保持一个带负电荷的电子，这时它变成一个净负电荷的电离了的掺杂剂。由于这些离子不能移动，所以体电荷也不能移动。 由物理分析知， 如果将栅电压增加到一个特定的值，称为阀值电压VTn，我们会发现电荷性质的变化。 当VGVTn，电荷为不能移动的体电荷，且QS＝QB。 当VGVTn，电荷由两个不同的部分构成，即QS＝QB＋Qe0。 现在增加一个电子电荷层，用Qe表示。 电子可以移动，并且可以沿横向运动。 可以用该电子层作为沟道区建立 一个MOSFET。 根据电容器关系式： Qe在VGVTn时会增加。但此时 体电荷QB并不会增加。 阀值电压的数值在生产过程中设定。 其典型值的范围大约在0.5到0.8V之间，这取决于电路想要用的类别。设计中假定阀值电压的值已在电气参数表中说明。 阀值电压的推导 这里的推导是一个近似公式。 6.2 nFET电流－电压方程 讨论如何确定n沟道MOSFET的I－V特性。 在分析中，漏端是具有较高电压的n＋一边。 左图确定了沟道的长度L，右图确定了沟道的宽度W。 这里讨论的W和L值是从电气上考虑的尺寸即“有效值”，而不是前一章版图设计时的尺寸。（设计值标为W‘和L’） 无量纲比值（W/L）是用来说明一个晶体管相对于电路中其他管子的相对尺寸。 下图中电路符号上代表的电压和集成结构上外加的电压之间有一一对应的关系。 现在要确定的是电流IDn与电压VGSn和VDSn之间的关系。 MOS结构能够通过栅源电压VGSn控制栅氧层下面的电子电荷层Qe的形成。 上面所描述的行为几乎可以说明把nFET模拟成一个高电平控制开关是合理的，当栅电压小时开关断开，栅电压大时开关闭合。 但FET的电气特性与理想开关有很大的偏离。确定晶体管的尺寸是逻辑门的物理设计和它们的电子操作之间的结合点。 为了在器件层次上了解nFET的特性，可以做它的伏安特性曲线。 上图的曲线可以用公式来表示： 上式定义了FET的平方律模型，其中βn是器件的互导参数，单位为A/V2。每个nFET都有自己的βn，它由nFET的尺寸比决定的，即 设计者不能改变kn的数值，可以注意到氧化层薄， kn值则大，它增加了器件对栅电压的灵敏度，有助于提高器件的开关速度。从物理学角度来看，减小tox可增大Cox，从而增强电场效应。 例1 考虑一个nFET，其栅氧层厚度为tox＝12nm，电子迁移率为μn＝540cm2/（Vs）。求每cm2的氧化层电容和kn。如果将氧化层厚度降为tox＝8nm，再求kn。 解： 改变电压与电流的关系，使加在nFET上的VGSnVTn，改变VDSn，得到IDSn与VDSn的关系曲线如下。 求出峰值点电压VDSn，即为饱和电压。 对于满足VDSnVsat的较大的漏源电压，电流值几乎与VDSn无关，为： 上述电流称为饱和电流 更为详细的分析表明，在VDSnVsat时，饱和电流略有上升。这一情形通常用下式来模拟 式中λ是一个经验值，称为沟道长度调制参数，单位为V－1。在手工计算数字电路时，为简单起见，通常假设该值为0。若需要可以很容易的把该值的影响考虑到电路的计算机模拟中去。 图中显示的电流仅针对一个VGSn值，将几个针对不同栅源电压值的电流曲线叠加在一起就形成了下图的曲线族。每一条曲线代表一个给定的VGSn。对于一个给定的漏源电压VDSn，电流随VGSn值的增加而增加。非饱和区和饱和区的分界线可以由以下饱和电流公式得到： 例2 考虑一个具有以下特性的n沟道MOSFET： 利用这些条件，可以求出器件方程。 解： 若nFET加上电压VGSn＝2V， VDSn＝2V。首先确定nFET的导电状态， 若VDSn＝1.2V， VGSn不变，则 SPICE Level1方程 沟道长度调制的影响，虽然用上面的公式进行手工计算比较麻烦，但却能很容易的包含到SPICE模拟中。 SPICE Level1模型采用的另一组MOSFET公式如下： 在VDSnVsat时，MOSFET的非饱和电流公式为： 这使它与以下的饱和电流