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200mmBESOI晶圆片关键制备技术与工艺摘要SOI（SilicononInsulator）是指绝缘体上的硅。随着超大规模集成电路向纳米工艺的推进，芯片制造业遇到了前所未有的技术挑战，其中体硅材料的寄生电容效应和衬底电流对制造高速度、高性能器件造成了很大阻碍，而用SOI(SiliconOnInsulator)材料制备的器件具有低寄生电容、低漏电流、低工作电压、低功耗等优点，由此SOI 技术应运而生。目前，该技术在低压/低功耗、超大规模集成电路、高压功率器件、微机电系统（MEMS）、光子器件等领域得到了广泛的应用，是微电子及光电子领域的前沿技术之一。本论文就是在这个背景下，依托上海新傲科技股份有限公司平台，展开相关领域的研究工作，本文在已有200mmBESOI 工艺条件基础上，着重研究了：1）重掺衬底上轻掺外延层的技术优化2）低温键合工艺优化3）腐蚀减薄方法的探索4）传统化学机械抛光工艺优化及应用。获得的主要成果如下：1）重掺衬底上轻掺外延层，由于扩散因素会造成一定的过渡区域，通过一定厚度本征层插入，可以降低过渡区宽度，可以减少后续最终抛光的去除量，提高最终成品的顶层硅均匀性。2）通过低温键合法减少了高温加固中的过渡区扩散问题，并通过一系列试验解决了键合气泡问题。-I-3）分别研究了两种不同的减薄方式，即化学腐蚀减薄和传统化学机械抛光减薄，并制定了这两种减薄方式之间相互配合工艺，最终制成顶层硅Range在0.2μm（±0.1μm）的新型BESOI衬底材料。关键词：绝缘层上硅，外延，化学旋转腐蚀，化学机械抛光-II-KeyFabricationTechnologyandProcessfor200mmBESOIABSTRACTSOIreferstoSiliconOnInsulator.AlongwithULSIevolutedinto NanoStage,ICFabricationIndustryisfacedwithunprecedented chanllenges,theparasiticcapacitanceeffectandsubstrate current of bulksiliconhavestuntedtheperformanceofhighspeed,high performancedevice.SOImaterialboastsitslowparasiticcapacitance, lowleakagecurrent,lowworkingvoltageandlowpower.So,SOI materialisborneattherightmoment.Atpresent,SOI,whichisalready thecutting-edgetechnologyinthefieldofMicro-Electronicsand Optoelectronic,iswidelyappliedatlowvoltagelowpower,ULSI,High Power Device,MEMS,photonicdevice.Itisinthisbackgroundtheresearchiscarriedoutbythe200mm BESOIfabricationplatformofShanghaiSimguiTechnologyCo.,Ltd. Thispaperfocusesonthefollowingtopics:1)TechnologyOptimization oflow-dopedEPIlayergrowthonhighly-dopedsubstrate.2)Low temperaturebondingtechnologydevelopment3)ExplorationofThinning TechnologybyEtching4)OptimizationoftraditionalCMPandits application.The keyachievementsareasfollows:-III-AsLow-dopedEPIlayerisgrownonhighly-dopedsubstrate,due todiffusion,a transitionlayer isgenerated.Byinsertionof intrinstic layer, thewidthof thetransitionlayeris decreased.ThusthefinalCMPremoval amountisreducedandfinalyieldisenhanced.Throughlowtemperaturebonding,thediffusioneffectduring Annealingiseased.Thebubble,asasid