agagcl修饰半导体材料的制备 表征及其光催化性能的研究 word格式.docxVIP

agagcl修饰半导体材料的制备 表征及其光催化性能的研究 word格式.docx

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agagcl修饰半导体材料的制备 表征及其光催化性能的研究 word格式

摘要随着全球工业化进程 的发展,全球环境污 染和能源危机日趋严 重。环境保护 己成为 21 世纪影响人类生存与发展的重要问题。作为高级氧化技术的一员、绿色 化学的一个分支,光催化技术成为当今环境与能源领域的研究热点。二氧化钛, 作为传统光催化剂,具有化学稳定性高、低成本、无毒、可重复利用等特点。但 因其具有带隙宽,仅能受到约占太阳辐射 4%的紫外光的激发,大大限制了其实 际应用。铋系复合物由于其较特殊的晶体结构和电子结构,具有良好的光催化活 性。卤化银是一种新型表面等离子体光催化材料,它具有贵金属的表面等离子体 共振效应、金属半导体接触和半导体光催化材料的特性。因此,本文针对铋系复 合物和银 / 卤化银 等离子光催化 剂 进行了初步研 究 。 实验结果表 明 , Ag/AgCl/Bi2MoO6-9.5%降解罗丹明 B 的表观动力学速率常数是 Bi2MoO6 的 10 倍 多,Ag/AgCl/Bi2O2CO3-4 降解罗丹明 B 的表观动力学速率常数是 Bi2O2CO3 的 3 倍多,证明负载 Ag/AgCl 于光催化剂表面有助于提高催化剂的活性。本文通过沉淀-光还原方法将 Ag/AgCl 纳米颗粒负载于 Bi2O2CO3 和 Bi2MoO6 基体上,制得 Ag/AgCl/Bi2O2CO3 及 Ag/AgCl/Bi2MoO6 复合光催化剂,并使用 ICP、 XRD、SEM、TEM、HRTEM、FT-IR、BET、UV-vis DRS 等材料测试技术对所制 备催化剂进行了表征。论文研究内容和取得的研究成果主要体现在以下几个方面:1. 通过沉淀-光还原法合成 Ag/AgCl/Bi2O2CO3 及 Ag/AgCl/Bi2MoO6 光催化剂, 显示良好的活性。在不同银铋摩尔比制备催化剂中,催化效果各异。2. 以罗丹明 B 、龙胆紫、甲基橙溶液模拟有机污染废水,评价了 Ag/AgCl/Bi2O2CO3 的可见光光催化性能。3. 以罗丹明 B、甲基橙溶液模拟有机污染废水,评价了 Ag/AgCl/Bi2MoO6 的 可见光光催化性能。4. 通过对半导体价带结构的分析,并结合活性自由基抑制实验结果,探讨了 合成光催化剂对罗丹明 B 的降解机理。分析结果表明,Ag/AgCl/Bi2MoO6 降解罗丹明 B 体系中,h+,?OH 及?O2?为主要地活性基团,其降解机理为 Z 型降解机理。Ag/AgCl/Bi2O2CO3 降解罗丹明 B 体系中,h+及?O2?为主要 地活性基团,其降解机理为表面等离子共振降解机理。关键词: Bi2O2CO3;Bi2MoO6;Ag/AgCl;表面等离子体共振;可见光催化剂AbstractAlong with the development of global industrialization process, the global environment pollution and energy crisis become more and more serious. Environmental issues have already become one of the most important problem whichinfluence human survival and development in 21st century. Photocatalytic technology,as a member of advanced oxidation technology and a typical representative of green chemistry, has aroused tremendous interest. TiO2, as a traditional photocatalyst, is widely used for its long-term stability, low cost, nontoxicity and availability. TiO2 canbe only excited by ultraviolet irradiation which is ~4% UV light in solar irradiation due to the relatively wide band gap. For this reason, the wide use of TiO2 is significantly limited in practical application. The Bi-based materials with characteristic structures of alternative stacking of (Bi2O2)2+ layers

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