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VLSI设计基础 第3章 工艺与设计接口 （2010-2010） （*） 本章概要： 设计与工艺接口问题 工艺抽象 电学设计规则 几何设计规则 工艺检查与监控 基本问题 设计与仿真依据 工艺监控和提模手段 设计与工艺接口 （*） 3.1 设计与工艺接口问题 基本问题—工艺线选择 设计的困惑 设计与工艺接口 .1 （*） 3.1.1 基本问题—工艺线选择 一条成熟的工艺线，各项工艺参数都是一定的，不允许轻易变更，而这些参数往往就成为我们设计的制约因素。 因此，设计之初必须考虑：这条工艺线对我的设计是否合适。 .1 设计之初的重要问题：选择工艺和工艺线 （*） 3.1.2 设计的困惑 电参数： 应用萨方程 衬偏效应(γ系数) 上升、下降时间（负载电容） 迁移率比值 …… 版图参数： 尺寸 间距 …… 太多的不确定，工艺线能否提供这些参数？ .1 （*） 3.1.3 设计与工艺接口 工艺线提供电学设计和版图设计的规则，形成设计规则文件。 工艺线提供工艺加工质量的监测方法，形成PCM（Process Control Monitor）。 这些构成清晰地接口：设计与工艺接口。这个接口同时也成为了设计与工艺的共同制约，成为设计与工艺双方必须共同遵守的规范。 .1 （*） 3.2 工艺抽象 工艺对设计的制约、工艺抽象的意义 工艺抽象 对材料参数的抽象 对加工能力的抽象 得到以电学参数和几何参数描述的工艺数据，设计者不再看到诸如掺杂浓度、结深、氧化层厚度等工艺技术范畴的专业术语。 .2 （*） 3.2.1 工艺对设计的制约 最小加工尺寸对设计的制约（特征尺寸与最大面积） 电学参数对设计的制约 标准工艺流程对特殊工艺要求的制约 工艺参数→设计参数（电参数、几何参数） .2 （*） 3.2.2 工艺抽象 掺杂浓度以薄层电阻RS描述： .2 掺杂浓度 掺杂深度 （*） 3.2.2 工艺抽象 氧化层（绝缘层）厚度以单位面积电容C0描述： .2 氧化层 掺杂层 导电层 （*） 3.2.2 工艺抽象 重要参数阈值电压描述了衬底掺杂浓度，氧化层厚度，氧化层中含有的电荷性质与数量，以及多晶硅（或金属）与衬底的功函数差。 阈值电压包括了栅区阈值电压和场区阈值电压。 .2 导电薄膜参数以薄层电阻描述。 （*） 3.2.2 工艺抽象 .2 版图设计规则是一组几何尺寸，是对加工精度（如最细线条）；寄生效应（如寄生晶体管）；特性保障（如可控硅效应抑制）；加工质量控制（如成品率）等多方面的抽象。 （*） 3.3 电学设计规则 .3 电学设计规则提供了一组用于电路设计分析的参数，这些参数来源于具体工艺线，具有很强的针对性。 如果设计所采用的电学参数来源不是将来具体制作的工艺线，则仿真分析的结果没有实际意义。 电学设计规则被分为两个主要部分：器件模型参数和寄生提取所需的电学参数。 （*） 3.3.2 器件模型参数 .3 模型参数示例： （*） 3.3.3 模型参数的离散及仿真方法 .3 设计时必须考虑工艺的离散对性能的影响 （*） 3.4 几何设计规则 .4 几何设计规则给出的是一组版图设计的最小允许尺寸，设计者不能突破这些最小尺寸的限制，也就是说，在设计版图时对这些位置的版图图形尺寸，只能是大于或等于设计规则的描述，而不能小于这些尺寸。 （*） 3.4.1 几何设计规则描述 .4 描述方法：一是以最小单位λ的倍数表示，几何设计规则中的所有数据都以λ的倍数表示，如3λ、5λ。λ是最小沟道长度L的一半，是具体的数值。这种描述方法称为λ设计规则。二是用具体的数值进行描述，数值单位是微米，被称为微米设计规则。 （*） 3.4.1 几何设计规则描述 .4 表3.4 掩膜板层描述 掩膜板层 编号 说明 N阱（N_WELL） 1 有源区(ACTIVE) 2 多晶硅(POLY) 3 N+区（N PLUS SELECT） 4 P+区（P PLUS SELECT） 4 多晶硅2(POLY2) 11、12、13 可选用 引线接触（CONTACT） 5、6、13 多晶硅接触孔（POLY CONTACT） 5 有源区接触孔（ACTIVE CONTACT） 6 多晶硅2接触孔（POLY2 CONTACT） 13 金属1（METAL1） 7 通孔（VIA） 8 金属1与金属2连接 金属2（METAL2） 9 通孔2（VIA2） 14 金属2与金属3连接 金属3（METAL3） 15 钝化层（GLASS） 10 （*） 3.4.1 几何设计规则描述 .4 表3.6 有源区设计规则 规则