半导体器件模拟教程.pptVIP

半导体器件模拟 必须验证应用这些边界条件的物理与数学的合理性。例如在图5.1-1中，距离A-B以及E-F应足够大，从而使在A-H及F-G处由于人为边界条件引进的误差相当小。 应用边界条件(5.1-27)～(5.1-29)的一个限制 是要求参量C,Dn,Dp以及μ p,n对于边界的单位法 向矢量的导数沿整个人为边界为零。 要注意，若静电势的边界条件是时间相关，则基本半导体方程仅构成一个时间相关问题。若静电势的边界条件是不随时间变的，半导体方程就简化为由三个联立椭圆方程组成的系统。 半导体器件模拟 (四)、基本方程的离散化 离散数值解法，无论对任何一个系统，都包括以下两个步骤： ①将模拟的几何定义域分割成有限数的子区域，而子区域内易得所需的精确解。 ②每一个子域内的微分方程得用代数方程来近似，本节将具体地讨论方程的离散化过程。 半导体器件模拟 在分割定义域（即离散化）和选择子区域内自变量的近似函数方面已经提出了许多可行的方法。特别是对于半导体方程已经开发了许多技术。这些技术从数学分析的观点来看并不是很重要的。但它们有高的计算效率。因而从工程的目的来看确实是重要的。 目前常见的离散方法，具体地说就是网格的划分大致有三种: 有限差分法----特点是简单易行。 有限盒法----实际上是一种更一般的有限差分法，这两种方法大多对一些规则的边界使用起来比较