半导体器件物理3施敏教程.pptVIP

阻挡层具有整流作用 对p型阻挡层 V0, 金属负偏，形成从半向金的正向电流 V0, 金属正偏，形成反向电流 §7.2.1扩散理论 对n型阻挡层，当势垒的宽度比电子的平均自由程大得多时，电子通过势垒区要发生多次碰撞。 当势垒高度远大于 kT 时，势 垒区可近似为一个耗尽层。 厚阻挡层 须同时考虑漂移和扩散 0 xd x q?ns EF 0 0 V En=q?n 耗尽层中，载流子极少，杂质全电离，空间电荷完全由电离杂质的电荷形成。 这时的泊松方程是 若半导体是均匀掺杂的，那么耗尽层中的电 荷密度也是均匀的，等于qND。 { 0 – 势垒宽度 V与(Vs)0同号时，势垒高度提高，势垒宽度增大 厚度依赖于外加电压的势垒，叫肖特基势垒。 考虑漂移和扩散，流过势垒的电流密度 V0 时，若 qVkT, 则 V0 时，若 ?qV? kT, 则 JsD 随电压变化，不饱和 金属半导体接触伏安特性 V I 扩散理论适用于 迁移率小的半导体 计算超越势垒的载流子数目（电流）就是热电子发射理论。 §7.2.2热电子发射理论 N型阻挡层很薄时: ?电子的平均自由程远大于势垒宽度， 扩散理论不再适用. ?电子在势垒区的碰撞可忽略，势垒高度起作用 以n型阻挡层为例，且假定势垒高度 电子从金属到半导体所面临的势垒高度不随外加电压变化。从金属到半导体的电