半导体器件物理Chapter3_pn结及金属半导体接触教程.pptVIP

直到过剩载流子抽取完，二极管的偏压才由正偏变为负偏。 在?sd时间内，过剩载流子被抽取。 电荷贮存效应 贮存时间?sd 下降时间?t 反向恢复时间 ?sd＋?t 决定因素： 少子寿命?p ? 正向注入电流If ? 反向抽取电流Ir ? 由于If 、Ir常受到电路中其他条件的限制，所以，减小载流子寿命比较可行。 五、金属-半导体接触 金属-半导体接触可以分成两类，一类是整流接触，一类是欧姆接触。 半导体器件中金属的应用 器件间的低阻互联 整流 使载流子（电子和空穴）在进出半导体时少受阻力 金属-半导体接触势垒 由于金属与半导体的功函数不同，它们相互紧密接触时，会产生接触电势差。 金属与N型半导体接触，WmWs 时 当它们紧密接触时，电子会从费米能级高的地方向低的地方流动，所以半导体中电子会向金属中流动，使金属表面荷负电，电子能量提高，而半导体表面形成正的空间电荷区；当整个系统达到平衡时，金属和半导体形成统一的费米能级。 金属与N型半导体接触，WmWs 时 此时，电子将从金属流向半导体，在半导体表面形成负的空间电荷层，使得半导体侧电子能量提高；在空间电荷区中表面附近能带向下弯曲，电子浓度将比体内的平衡浓度大得多，它是多子（电子)积累层，是一个高电导层；这种情况下，多子（电子）在两种材料中的相互转移，不需要越过势垒就可以运动到对方，通常称为多子反阻