大学物理量子力学3节.pptVIP

则B 原子浓度～1018 cm? 3 np= 1.5×1010 室温下： 本征激发 杂质激发 导带中电子浓度 nn=1.5×1010cm? 3 满带中空穴浓度 设 Si中B的含量为10－4 + 1018 = 1018 cm? 3 空穴是多数载流子， 电子是少数载流子。 空穴浓度np ～ 受主杂质浓度na 在p型半导体中： Si 原子浓度～1022 cm? 3 3. n型化合物半导体 例如，化合物GaAs中掺Te，六价的Te替代五价的As可形成施主能级，成为n型GaAs杂质半导体。 4. p型化合物半导体 例如，化合物 GaAs中掺Zn，二价的Zn替代三价的Ga可形成受主能级，成为p型GaAs杂质半导体。 三. 杂质的补偿作用 实际的半导体中既有施主杂质（浓度nd），又有受主杂质（浓度na），两种杂质有补偿作用： 若nd ? na——为n型（施主） 若nd ? na——为p型（受主） 利用杂质的补偿作用，可以制成 p-n 结。 §4.4 p -n 结 一. p - n 结的形成 在 n 型半导体基片的一侧掺入较高浓度的 面附近产生了一个内建 阻止电子和空穴进一步扩散。 电子和空穴的扩散， 在p型和n型半导体交界 p型半导体(补偿作用)。 受主杂质， （电）场 该区就成为 n型 p型 内建场大到一定 程度，不再有净电 荷的流动，达到了 新的平衡。 在p型和 n型交界面附近形成的这种特殊结构称为p-n结（阻挡层，耗尽层），其厚度约为0.1?m。 p-n结 p型 n型 U0 电势 电子电势能 p-n结 n p 由于p-n结的存在，电子的能量应考虑进势 这使电子能带出现弯曲： 空带 空带 p-n结 施主能级 受主能级 满带 满带 垒带来的附加势能。 二 . p - n结的单向导电性 1. 正向偏压 p-n结的p型区接电源正极，叫正向偏压。 向p区运动， 阻挡层势垒降低、变窄， 有利于空穴向n区运动， 也有利于电子 和 反向， 这些都形成正向电流（mＡ级）。 p型 n型 I + ? 外加正向电压越大， 形成的正向电流也越大，且呈非线性的伏安特性。 U （伏） 30 20 10 （毫安） 正向 0 0.2 1.0 I 锗管的伏安特性曲线 2. 反向偏压 p-n结的p型区接电源负极，叫反向偏压。 也不利于电 阻挡层势垒升高、变宽， 不利于空穴向n区运动， 和 同向， 会形成很弱的反向电流， 称漏电流（?Ａ级）。 I 无正向电流 p型 n型 + ? 子向p区运动。 但是由于少数载流子的存在， 当外电场很强，反向电压超过某一数值后， 反向电流会急剧增大 — 反向击穿。 V (伏) I -10 -20 -30 （微安） 反向 -20 -30 用p ? n结的单向导电性， 击穿电压 用p ? n结的光生伏特效应，可制成光电池。 p - n结的应用： 做整流、开关用。 加反向偏压时，p ? n结的伏安特性曲线如左图。 可制成晶体二极管（diode）， △§4.5 半导体器件（自学书第4.7节） p-n结的适当组合可以作成具有放大作用的晶体三极管（trasistor）和其他一些半导体器件。 集成电路 大规模集成电路 超大规模集成电路 晶体管 （ 1947 ） （1962 ） （80年代 ） 103 105 甚大规模集成电路 巨大规模集成电路 107 109 （70年代 ） （90年代 ） （现在） 晶体管的发明 1947年12月23日，美国贝尔实验室的半导体小组做出世界上第一只具有放大作用的点接触型晶体三极管。 1956年小组的三位成员获诺贝尔物理奖。 巴丁 J.Bardeen 布拉顿 W.H.Brattain 肖克利 W.Shockley 每一个集成块（图中一个长方形部分）约为手指甲大小，它有300多万个三极管。 INMOS T900 微处理器 同质结激光器 — 由同种材料制成的p-n结 半导体激光器分两类： 异质结激光器 — 由两种不同材料制成的 p-I-n §4.6 半导体激光器（补充） 半导体激光器是光纤通讯中的重要光源，在创建信息高速公路的工程中起着极重要的作用。 （重掺杂） 结（ I为本征半导体） 重掺杂 p n 满 带 空 带 p n 满 带 空 带 普通掺杂 1. 同质结激光器 加正向偏压V ? 粒子数反转。 p n 阻挡层 E内 - + + - + - + - + - Ｅ外 E内 p n 阻挡层 + - - - - - + + + + p n 满 带 空 带 eU0 p n 满 带 空 带 e(U0-V) 电子空穴复合发光， 由自