微电子学概论-ch4_集成电路制造工艺1单元.pptVIP

* 压力接近常压下进行的CVD反应，淀积速度快。LPCVD低压下气体分子间的碰撞频率降低，薄膜淀积速度慢。PECVD中，气体在部分电离成高能电子，反应温度较低。 * 常压化学气相淀积，一般反应温度为800—1000度。 * 淀积的薄膜厚度均匀性好，装片量大，反应温度600—700度。但淀积速度慢。 * 气体经过放电区， PECVD对低压气体施加射频电场，提供气相反应所需的激活能。反应温度：200—400度。 * 外延技术主要有气相，液相和分子束外延。CVD氧化硅薄膜主要用作金属化时的介质层和掩蔽层，不能用于栅氧化层和场绝缘，栅氧化层和场绝缘，只能通过热生长实现。 * 首先在p型衬底上扩散形成n＋埋层，然后生成n外延，通过隔离扩散形成直通衬底的p型区，从而将外延层分割成一个一个孤立的n型区，不同n型区之间靠反向偏置的pn结隔离。 * 首先在p型衬底上进行n＋埋层掺杂，该区作为npn晶体管的集电极，接着生长一层薄p型外延，进行n＋隔离掺杂，与原来的n＋埋层一起将p型外延分成一个一个小区。 * 适合于制作高速、高密度集成电路，被认为是双极集成电路中的最佳隔离方案之一 物理气相淀积(PVD) 利用物理过程实现物质转移，原子或分子有源转移到衬底表面，淀积成薄膜。 作用： 淀积金属薄膜，形成欧姆接触，实现接触和互连，Al连线。 淀积其他薄膜，包括化合物薄膜。 蒸发、溅射 蒸发：在真空系统中，金属原子获得足够的能量后便可以脱离金属表面的束缚成为蒸汽原子，淀积在晶片上。按照能量来源的不同，有灯丝加热蒸发和电子束蒸发两种 蒸发原理图 溅射视频 溅射：真空系统中充入惰性气体，在高压电场作用下，气体放电形成的离子被强电场加速，轰击靶材料，使靶原子逸出并被溅射到晶片上 其他薄膜制备技术 应用：接触和互连 接触：自对准多晶硅/硅化物结构（salicide） 互连：多层互连、铜互连铜互连技术（二次镶嵌技术） 当金属作为电极从半导体中引出电流时，希望载流子在进出半导体时少受阻力。 形成良好的欧姆接触。 金属和半导体接触 金属和轻掺杂半导体接触 常用的金属接触互连材料 互连金属化材料的要求： 导电性能好，引起的损耗小。 与半导体之间有良好的接触特性 性能稳定：金属化材料不和硅发生反应。 台阶覆盖性能好：防止台阶处金属化层变薄甚至出现断条情况。 工艺相容：不改变已有器件的特性。 集成电路工艺 图形转换： 光刻：接触光刻、接近光刻、投影光刻、电子束光刻 刻蚀：干法刻蚀、湿法刻蚀 掺杂： 离子注入 退火 扩散 薄膜制备： 氧化：干氧氧化、湿氧氧化等 CVD：APCVD、LPCVD、PECVD PVD：蒸发、溅射 OUTLINE Pattern Transfer Lithography Etching Oxidation Diffusion Ion Implantation Doping Film Preparation Chemical Vapor Deposition Physical Vapor Deposition Packaging Insulation 集成电路中的晶体管与分立晶体管的主要区别是集成电路中晶体管的所有电极都比须制作在集成电路芯片的表面，而且每个晶体管之间必须在电学上相互隔离开，防止器件间的相互影响。 隔离技术 常用的隔离技术： pn结隔离、等平面氧化层隔离(场隔离）、沟槽隔离、介质隔离等。 双极集成电路隔离工艺 MOS集成电路隔离工艺 有源区：在集成电路中，通常将硅片上用于制作各种元器件的区域，称作有源区。 场区：其他没有制作器件的区域称作场区。 两个概念 双极集成电路隔离工艺 标准隐埋集电极隔离工艺（Standard Buried Collector Process，SBC） 不同n型区之间靠反向偏置的pn结隔离 隔离区较宽 寄生电容较大 pn结隔离 集电区扩散隔离（Collector Diffused Isolation，CDI） 与SBC相比具有工艺简单，隔离面积小等优点 介质隔离（Dielectric Isolation, DI） 隔离效果好 研磨背面时要求精确的机械定位 高温淀积多晶硅时硅片容易翘边 等平面氧化物隔离工艺（Recessed Oxidation Isolation, ROI) 横向采用氧化层介质隔离，纵向仍为pn结隔离 寄生电容小 隔离面积较小 场隔离 MOS集成电路隔离工艺 OUTLINE Pattern Transfer Lithography Etching Oxidation Diffusion Ion Implantation Doping Film Preparation Chemical Vapor Deposition Ph