微电子学概论-ch8_光电子器件1单元.pptVIP

内光电效应 光电导效应：光生载流子改变半导体的电阻率 光伏特效应：光生电子和空穴在内建电场作用下作漂移运动，如器件开路，在在器件两端产生光生电动势 基本的光电效应 光敏电阻（光电导探测器）：光敏电阻通常由一块状或薄膜状半导体及其两边的欧姆接触构成 光电导探测器 光电二极管：光电二极管实际上就是一个工作在反向偏置条件下的pn结 p-i-n管是光电二极管中的一种。它的结构特点是，在P型半导体和N型半导体之间夹着一层（相对）很厚的本征半导体。这样，PN结的内电场就基本上全集中于 I 层中，提高光电探测器的灵敏度 P-Si N-Si I-Si PIN管结构示意图 P-I-N光电二极管 OUTLINE 固体中的光吸收和光发射 半导体发光二极管 半导体激光器 光电探测器 半导体太阳能电池 半导体太阳能电池 吸收光辐射而产生电动势，它是半导体太阳能电池实现光电转换的理论基础 产生光生伏特效应的两个基本条件： 半导体材料对一定波长的入射光有足够大的光吸收系数，即要求入射光子的能量h?大于或等于半导体的禁带宽度Eg 具有光生伏特结构，即有一个内建电场所对应的势垒区 影响太阳能电池转换效率的主要因素有：表面太阳光的反射、pn结漏电流和寄生串联电阻等 作业 解释半导体发光二极管的工作原理 解释半导体激光器必须具备的三个基本条件 用雪崩光电二级管设计一个光探测器，画出其结构示意图并解释其各部分组成以及工作原理；已知其二极管的反向击穿电压为200V。 * 光吸收：通过吸收光子能量而跃迁到较高的能级。光发射：到达不稳定激发态的原子或分子会通过自发辐射或受激辐射的方式回到稳定的基态，以光子的形式释放出多余的能量。固体发光现象起支配作用的是自发发射。 * 半导体受到光照，若光子的能量等于禁带宽度，则产生电子空穴对，若光子能量大于禁带宽度，除了产生一个电子空穴对之外，多余的能力将作为热量耗散掉。 若光子能力小于禁带宽度，则只有在禁带中存在杂质或物理缺陷引起的能态时，光子才能被吸收。 * 自发发射：没有任何外界触发，电子从激发能级回到基态能级，并发射电子。受激发射：由入射光子引起的使处于激发态不稳定高能级上的电子跃迁到基态能级，并发射同相位的光子。 * PN结正向偏置，结区势垒下降，耗尽层内电场减小，使得空间电荷区宽度远小于电子与空穴的扩散长度。电子从n区注入到p区，空穴从p区注入到n区，形成非平衡载流子。非平衡载流子在扩散过程中与多子复合，发射光子。 * 三种机理导致光子消失：半导体内部的光子吸收；发射损耗；临界角损耗。 实际器件中，产生的大部分光子都会被半导体所吸收。 * 对于同一种半导体材料，若需要发射较大能量的光子，需增大禁带宽度，因为正向注入的非平衡少子能量与势垒能量（克服势垒形成电流）有关，因为载流子复合产生的光子，发射的能量等于或小于禁带宽度，如果要发射一个高能量的光子，首先势垒能量要大。一般材料是通过降低杂质掺杂浓度。而降低掺杂浓度，引起晶体的电导率降低，所以要选择合适的半导体材料。 所谓不完美性是指缩短少数载流子寿命并降低放光效率的杂质和晶格缺陷。 * 提供光学正反馈 * 同质半导体激光器，光子会向各个方向发射，会降低器件的外量子效率。而异质半导体激光器能够将发射的光子局限在结附近，能够明显提高器件的性能，基本器件结构为三层双异质结结构 * 通过检测电流即可判断光照的情况 光电子器件 光电子器件：光子和电子共同作用的半导体器件 发光器件：将电能转换为光能 发光二极管(Light Emitting Diode，缩写为LED) 半导体激光器 光电探测器：利用电子学方法检测光信号的 太阳能电池：将光能转换为电能 OUTLINE 固体中的光吸收和光发射 半导体发光二极管 半导体激光器 光电探测器 半导体太阳能电池 光具有波粒二象性 在固体中，光子和电子之间的相互作用有三种基本过程： 光吸收 自发发射 受激发射 固体中的光吸收和光发射 两个能级之间的三种基本跃迁过程 (a) 吸收 (b) 自发发射 (c) 受激发射 光电效应 光电效应 用光照射某一物体，可以看做是一连串能量 光子轰击在这个物体上，此时光子能量就传递给 电子，并且是一个光子的全部能量一次性地被一 个电子所吸收（根据爱因斯坦假设），电子得到 光子传递的能量后其能态发生变化，从而使受光 照射的物体产生相应的电效应，把这种物理现象 称为光电效应。 光吸收（内光电效应） 光发射（外光电效应） 当光照射在物体上，使物体的电阻率ρ发生变化，或产生光生电动势的现象叫做内光电效应，它多发生于半导体内。 光电导效应 在光线作用，电子吸收光子能量从键合状态过渡到自由状态，引起载流子的激发，而引起材料电导率的变化，这种现象被称为光电导效应。基于这