(数字电子技术）23 ROM PLA.ppt

目的与要求 1．学会识辨ROM 的阵列图 2．学会分析ROM构成的组合逻辑电路 3．学会识辨PLA的阵列图 4．学会分析PLA构成的组合电路 重点：分析ROM 、PLA构成的组合逻辑电路 难点：分析ROM、 PLA构成的组合逻辑电路 ①PROM是与阵列固定、或阵列可编程，而PLA是与和或阵列全可编程。 ②PROM与阵列是全译码的形式，而PLA是根据需要产生乘积项，从而减小了阵列的规模。 ③PROM实现的逻辑函数采用最小项表达式来描述；而用PLA实现逻辑函数时，运用简化后的最简与或式，即由与阵列构成乘积项，根据逻辑函数由或阵列实现相应乘积项的或运算。 ④在PLA中，对多输入、多输出的逻辑函数可以利用公共的与项，因而，提高了阵列的利用率。 小 结 思 考 题 1、什么叫做ROM？ 什么叫做RAM？ 各自有何特点？两者有何区别？ 2、ROM逻辑阵列图怎样绘制？注意哪些方面？ 3、分析ROM构成的组合逻辑电路，有哪些步骤？ 思 考 题 4、PLA逻辑阵列图怎样绘制？注意哪些方面？ 5、分析PLA实现的任意组合逻辑电路有哪些步骤？ 6、PLA可编程逻辑阵列和ROM在实现组合逻辑方面 有何区别？各自的特点？ 作 业 题 教材P170 7-4 习题册P27 1-2分析 1 、 2 、 3、 5 1、固定ROM(掩膜ROM): 书？ 用户专用ROM,用户将程序代码交给IC生产商，生产商在芯片制造过程中将用户程序代码固化在IC的ROM中，用户在使用过程只能读出不能写入。 2、可编程ROM(PROM) 作业本？ PROM所存的数据，由用户自己根据要求写入。但是只能写一次，不允许第二次改写。 适合于小批量试产使用，有保密位，可以加密。价格较高。 适合于大批量生产使用，性价比高。 第七章 存储器与可编程逻辑器件 数字电子技术 基础部电子技术教研室 第七章 存储器与可编程逻辑器件 7. 1 随机存储器( RAM ) 7. 2 可编程逻辑器件 PLD 7. 3 只读存储器（ROM） 和可编程逻辑阵列( PLA） ☆ 从制造工艺上分： 1.双极型-----工作速度快,在微机中作高速 缓存 2.MOS型-----功耗小,因而集成度高.用于大容量存储,如微机中的内存条 ☆ 从存取信息方式上分： ★ 只读存储器（ROM) ★ 随机存储器（RAM) ７.3 只读存储器( ROM ) 一、ROM的基本结构及工作原理 二、 ROM在组合逻辑设计中的应用 三、 ROM的编程及分类 —— Read Only Memory 只读存储器在工作时其存储内容是固定不变的，只能读出，不能随时写入，所以称为只读存储器。 译码电路 存储 矩阵 读出放大， 控制电路 ☆ 地址译码器 ☆ 存储矩阵 ☆ 读出放大，控制电路 地址码输入 片选 控制 一、ROM的基本结构及工作原理 W0 W1 W2n-1 字线 … B0 B1 Bm-1 位线 … A0 A1 A n-1 … D0 D1 Dm-1 … 数 据 输 出 地址线？字线？数据线？ … … … 如果某教学楼由16间教室(字单元)构成， 每个教室都有4位地址码（0000、0001、 0010…...1111） 每个教室都有6个座位（字长= 6） 该教学楼的容量24×6 片选？ m-1 m-1 -1 存 储 矩 阵 地 址 译 码 器 放大、 控制电路 片选 CS W 2 n - 1 W 0 W 1 A 0 A 1 A n B 0 B 1 B D 0 D 1 D … . . . . . . . . . . 0 0 . . 0 0 容量？功能？ 1 1 输出缓冲 VCC A1 A0 地址译码器 存储单元 字线 二极管作存储单元 D3D2 D1D0位线 与 阵 列 或 阵 列 简单的二极管ROM电路 二极管或门 二极管与门 1 1 输出缓冲 VCC A1 A0 D1 D3 D2 D0 地址译码器 存储单元 结论：字线W和位线D的每个交叉点都是一个存储单元。交叉点接二极管时相当于存1，没有接二极管相当于存0。交叉点的数目就是存储单元数。 0 0 0 0 1 1 1 1 1 0 1 1 0 0 1 0 0 1 0 1 1 1 1 1 地 址 A1 A0 D3 D2 D1 D0 内 容 地址码 与阵列 字线 或阵列 位线 与项 相加，可以 编程