太阳电池的种类和制造方法.pptVIP

4.3 太阳电池的种类和制造方法;?; 太阳电池的分类; 各类太阳能电池的制造方法及研究状况;种类;单晶硅电池的基本结构多为n+/p型，多以p型单晶硅片为基片，其电阻率范围为1-3Ω·cm，厚度一般为200-300um。 由于单晶硅材料大都来自半导体工业退下的废次品，因而一些厂家利用的硅片厚度达到0.5-0.7mm，由于这些硅片的质量完全满足太阳电池的要求，用来做太阳能电池可得到很好的效果，一般很容易达到15%以上。; 单晶硅太阳电池是以光生伏特效应为原理而制成的把光能直接转换成电能的一种器件，它是用单晶硅材料制成的。单晶硅太阳电池的工作原理可以概括成下面几个主要过程： 1. 必须有光的照射，可以是单色光、太阳光或模拟太阳光源等； 2. 光子注入到单晶硅半导体后，激发出电子-空穴对。这些电子-空穴应有足够的寿命，在它们被分离之前不会复合消失；; 3. 必须有一个静电场，在静电场的作用下，电子-空穴对被分离，电子集中在一边，空穴集中在另一边。绝大部分单晶硅太阳电池利用PN结势垒区的静电场实现分离电子一空穴对的目的，PN结是单晶硅太阳电池的“心脏”部分； 4. 被分离的电子和空穴，经由电极收集输出到电池体外，形成电流。;当晶片受光后，PN结;单晶硅太阳电池其特征如下： (1) 原料硅的藏量丰富。由于太阳光的密度极低，故实用上需要大面积的太阳电池，因此在原材料的供给上相当重要，再加上Si材料本身对环境影响极低。 (2) 由单晶硅制造技术或p-n接合制作技术，为电子学上Si集成电路的基础技术，随着技术成熟度增加而进步神速。 (3) Si 的密度低，材料轻。特别是应力相当强，即使厚度在50μm 以下的薄板，强度也够。 (4) 与多晶硅及非晶硅太阳电池比较，其转换效率较高。 (5) 发电特性极稳定。在灯塔与人造卫星实用上，约有20年耐久性。 (6) 由于能阶构造属于间接迁移型，在太阳光谱的主区域上，光吸收系数只有103cm-1 程度，相当小。故为吸收太阳光谱，需要100μm 厚的硅。 ;高效单晶硅太阳电池工艺流程如下：;单晶硅光电池制备工艺流程;1 、硅片腐蚀; ４、表面金属化 太阳电池制造的最后一道工序是印刷电极，最早采用真空蒸镀或化学电镀技 术，而现在普遍采用丝网印刷法。电池正面的电极呈梳子状形式或丝网树枝状 结构，其形式和厚度是两方面因素平衡的结果：一方面要有高的透过率；另一 方面要保证栅网电极有一个尽可能低的接触电阻。 ;?太阳能电池是一种少数载流子工作器件，少数载流子在电;1）体内复合。减少晶体硅体内的复合，首先要选用适当的掺;3）电极区复合。减少电极区的复合可采用将电极区的掺杂浓;4.3.2 多晶硅太阳电池 ;从工业化发展看，重心已由单晶向多晶方向发展。 主要原因为： 1.可供应太阳电池的头尾料愈来愈少； 2.对太阳电池来讲，方形基片更合算，通过浇铸法和直接凝固法所获得的多晶硅可直接获得方形材料； 3.多晶硅的生产工艺不断取得进展。全自动浇铸炉每生产周期（50小时）可生产200公斤以上的硅锭，晶粒的尺寸达到厘米级； 4.由于近十年单晶硅工艺的研究与发展很快，其中工艺也被应用于多晶硅电池的生产。 ;多晶硅太阳能电池与单晶硅太阳能电池虽然结晶构造不一样但发电原理一样。多晶硅太阳能电池结晶构造较差主要的原因有两个，一是本身含有杂质，二是在结晶的时候速度较快，硅原子没有足够的时间成单一晶格而形成许多结晶颗粒。结晶颗粒愈大则效率与单晶硅太阳能电池愈接近，结晶颗粒愈小则效率愈差。效率差的原因是颗粒与颗粒间存在着结晶边界，结晶边界存在许多的悬浮键，悬浮键会与自由电子复合而使电流减少，而且结晶边界的硅原子键结合情况较差，容易受紫外线破坏而产生更多的悬浮键。随着使用时间的增加，悬浮键的数目也会随着增加，光电转换效率因而逐渐衰退。此外杂质多半聚集在结晶边界，杂质的存在会使自由电子与空穴不易移动。结晶边界的存在使得多晶硅太阳能电池的效率降低，悬浮键的增加使得光电转换效率衰退，这两个是多晶硅太阳能电池的主要缺点，而成本低为其主要优点。 ;多晶硅太阳电池的基本结构都为N+/P型，都用P型单晶硅片，电阻率0.5 ～ 2Ω·cm，厚度为220 ～300μm。制作特点是以氮化硅为减反射膜，商业化电池的效率多为13% ～15%，主要特点是多晶硅电池是正方形，在制作电池组件时有较高的填充率。 多晶硅结构在阳光下可通过控制氮化硅减反射膜的厚度，呈现金、绿、深蓝等不同的颜色。;4.3.3 非晶硅太阳电池 ;非晶硅太阳能电池之所以受到人们的关注和重视,是因为它具有如下诸多的优点：???1.非晶硅具有较高的光吸收系数.特别是