5场效应管放大电路汇.ppt

3. 三种基本放大电路的性能比较 组态对应关系： CE BJT FET CS CC CD CB CG BJT FET 电压增益： CE： CC： CB： CS： CD： CG： 输出电阻： 3. 三种基本放大电路的性能比较 BJT FET 输入电阻： CE： CC： CB： CS： CD： CG： CE： CC： CB： CS： CD： CG： 5.3 结型场效应管 ? 结构 ? 工作原理 ? 输出特性 ? 转移特性 ? 主要参数 5.3.1 JFET的结构和工作原理 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 * Fundamental of Electronic Technology CTGU 5.3 结型场效应管(JFET) 5.1 金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管 5.2 MOSFET放大电路 5.5 各种放大器件电路性能比较 *5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 掌握场效应管的直流偏置电路及分析； 场效应管放大器的微变等效电路分析法。 N沟道 P沟道 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 （耗尽型） FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 (IGFET) 场效应管分类： 5.1 金属－氧化物－半导体 （MOS）场效应管 MOSFET简称MOS管，它有N沟道和P沟道之分，其中每一类又可分为增强型和耗尽型两种。 耗尽型：当vGS＝0时，存在导电沟道，iD?0。 增强型：当vGS＝0时，没有导电沟道，iD＝0。 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 1．结构 P N N G S D P型基底 两个N区 SiO2绝缘层 导电沟道 金属铝 G S D N沟道增强型 N 沟道耗尽型 P N N G S D 予埋了导电沟道 G S D N P P G S D G S D P 沟道增强型 P 沟道耗尽型 N P P G S D G S D 予埋了导电沟道 2．工作原理 JFET是利用PN结反向电压对耗尽层厚度的控制，来改变导电沟道的宽窄，从而控制漏极电流的大小。而MOSFET则是利用栅源电压的大小，来改变半导体表面感生电荷的多少，从而控制漏极电流的大小。 2．工作原理 （以N 沟道增强型为例） P N N G S D VDS VGS VGS=0时 D-S 间相当于两个反接的PN结 ID=0 对应截止区 P N N G S D VDS VGS VGS0时 VGS足够大时（VGSVT）感应出足够多电子，这里出现以电子导电为主的N型导电沟道。 感应出电子 VT称为开启电压 VGS较小时，导电沟道相当于电阻将D-S连接起来，VGS越大此电阻越小。 P N N G S D VDS VGS P N N G S D VDS VGS 当VDS不太大时，导电沟道在两个N区间是均匀的。 当VDS较大时，靠近D区的导电沟道变窄。 P N N G S D VDS VGS 夹断后，即使VDS 继续增加，ID仍呈恒流特性。 ID VDS增加，VGD=VT 时，靠近D端的沟道被夹断，称为予夹断。 3．特性曲线（增强型N沟道MOS管） 输出特性曲线 3．特性曲线（增强型N沟道MOS管） 可变电阻区 击穿区 ID U DS 0 UGS=5V 4V -3V 3V -5V 线性放大区 转移特性曲线 3．特性曲线（增强型N沟道MOS管） 0 ID UGS VT 在恒流区（线性放大区，即VGS＞VT时有： ID0是vGS=2VT时的iD值。 4．参数 P210表5.1.1列出了MOSFET的主要参数。 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 耗尽型的MOS管UGS=0时就有导电沟道，加反向电压才能夹断。 转移特性曲线 0 ID UGS VT 输出特性曲线 ID U DS 0 UGS=0 UGS0 UGS0 5.2 MOSFET放大电路 ? 直流偏置电路 ? 静态工作点 ? FET小信号模型 ? 动态指标分析 ? 三种基本放大电路的性能比较 5.2.1 FET的直流偏置及静态分析 5.2.2 FET放大电路的小信号模型分析法 1. 直流偏置电路 5.2.1 FET的直流偏置电路及静态分析 （1）自偏压电路 （2）分压式自偏压电路 vGS vGS vGS vGS vGS VGS = - IDR 2. 静态工作点 Q点： VGS 、 ID 、 VDS vGS = VDS = 已知VP ，由 VDD - ID (Rd + R ) - iDR 可解出Q点的VGS 、 ID 、 VDS 5.2.2 FET放大电路的小信号模型分析法 1. FET小信号模型 （1）低频模型 （2）高频模型 1. FET小信号模型 2. 动态指标分析