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14. 功能薄膜材料 Functional Thin Film Materials 一、薄膜的定义 采用一定方法，使处于某种状态的一种或几种物质（原材料)的基团以物理或化学方式附着于衬底材料表面，在衬底材料表面形成一层新的物质，这层新物质就是薄膜。 从宏观上讲，薄膜是位于两个平面之间的一层物质，其厚度与另外两维的尺寸相比要小得多。从微观角度来讲，薄膜是由原子或原子团凝聚而成的二维材料。但是究竟“薄”至何等尺度才可以认为是薄膜，并没有严格的界限。 简而言之，薄膜是由离子、原子或分子的沉积过程形成的二维材料。 薄膜在英文中用Thin Film来表示，类似的词还有Coating（涂层）等。  最古老的薄膜： 可上溯至三千多年前的中国商代，那时我们的祖先就已经会给陶瓷上“釉”了。汉代发明了用铅作助溶剂的低温铅釉。到了唐、宋时代，中国人的彩釉工艺达到了顶峰。釉涂层不仅是漂亮的装饰层，而且增加了陶瓷器的机械强度，还使其不易污染、便于清洗。 1 导电薄膜 导电薄膜主要用在半导体集成电路和混合集成电路中。 1.1 低熔点金属薄膜 Au（1064）、Ag（962）、Cu（1083）、Al（660） Al与W、Mo、Ta元素易形成低共熔合金。 1.2 高熔点金属薄膜 钛Ti（1668）、锆Zr（1850）、铪Hf（2233）、钒V（1890）、铌Nb（2468）、钽Ta（2996）、铬Cr（1857）、钼Mo（2617）、钨W（3410） 主要应用于集成度较高的大规模集成电路中。 1 导电薄膜 1.3 复合导电薄膜 当Au用作导电膜时，由于金与基板的附着性差，一般需要先沉积 一层底金属层，然后再沉积金，形成复合导电薄膜。 常被用来作基底材料的有铬、镍-铬、钛、钛-铂等 1.4 多晶硅薄膜 替代Al膜作为MOS集成电路的栅电极和互连线材料。 结构上，多晶硅薄膜是由许多无规则取向的小晶粒组成，但在一 定条件下，存在着一个主要的生长晶向。 多晶硅薄膜的导电性能与单晶硅有较大差别。 1 导电薄膜 1.5 金属硅化物薄膜 元素周期表中有一半以上的元素可以与硅形成一种或多种硅化物。适用于集成电路的硅化物必须具有的性质：低电阻率、易刻蚀、可氧化、机械稳定性好、适用于集成电路工艺、不与铝反应。 常用的硅化物有：硅化铌、硅化铂、硅化钯、硅化铌等。 1.6 透明导电薄膜 透明导电薄膜是一类即具有高的导电性，在可见光范围又有很高的透光性，并在红外光范围有很高的反射性的薄膜。 透明导电薄膜可分为金属膜、氧化物薄膜和非氧化物单层或多层膜。 1： 导电薄膜 掺锡氧化铟（即Indium Tin Oxide, 简称ITO）材料是一种n型半导体材料，由于具有高的导电率、高的可见光透过率、高的机械硬度和化学稳定性，因此它是液晶显示器（LCD）、等离子显示器（PDP）、电致发光显示器（ EL/OLED）、触摸屏（Touch Panel）、太阳能电池以及其它电子仪表的透明电极最常用的材料。 (但ITO薄膜在高温应用上较不稳定，且铟(Indium，In)本身具有毒性) 1： 导电薄膜 AZO是铝掺杂的氧化锌（ZnO）透明导电玻璃 ZnO薄膜是一种重要的光电子信息材料，不仅具有与传统的ITO薄膜相比拟的光电性质，而且原料丰富，价格低，无毒性，热稳定性高，在太阳能电池、液晶显示器及光电探测器等领域有着广泛的应用前景。可广泛应用于制造柔性衬底发光器件、塑料液晶显示器和非晶硅太阳能电池，还可作为透明保温隔热材料用于塑料大棚以及汽车玻璃和民用建筑玻璃的贴膜。尤其在光电子产业ITO透明导电薄膜中，In元素资源稀少，价格昂贵，亟需找到一种可替代的材料。 2. 磁性薄膜： 随着磁记录存储密度的不断提高，由纳米尺度的铁磁金属颗粒如Fe、Co、Ni及其合金等构成的磁性颗粒膜引起了人们极大的注意，成为当前研究的热点。 Fe-Co合金薄膜，该合金薄膜中Fe的质量分数为52-86％，薄膜具有高度密集的细粒结构，表面平滑光亮。特别适宜作薄膜磁头的磁极。 2. 磁性薄膜： 一般情况下，一个铁磁体总要分成很多小区域，在同一个小区域中磁化矢量方向是相同的，这样的小区域称为磁畴。磁畴与磁畴之间的过渡区域称为畴壁。 磁畴在外加磁场影响下形成的圆形磁畴看起来像是一些泡泡，称为磁泡。 在磁性薄膜的某一位置上“有磁泡”和“没有磁