单片机第33讲.pptVIP

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  • 2018-04-30 发布于河南
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单片机第33讲

8.3 扩展数据存储器 8.3.1 常用数据存储器芯片 常用的SRAM芯片是Intel公司的6116和6264,其引脚如下图所示。图中6264的片选信号有CE1和CE2,必须同时有效才能选通该芯片。CE2可用于掉电保护方式,当它为低电平时,芯片未选中,处于数据保护状态。从引脚安排情况可见,这两种芯片具有兼容性。另外,6116、6264分别与2716、2764在引脚安排上兼容。 8.3.2 RAM与单片机的连接 1、扩展一片RAM 右图所示为8031扩展一片6116作为外部数据存储器的连接图。图中地址线A10~A0作为6116的片内寻址A15(P2.7)作为片选信号。 8031的RD、WR 分别连接6116的 OE、WE ,这样当8031执行外部数据存储器读/写指令时,符合6116读/写工作方式的要求。 如果将6116改为6264,接口电路只需作局部改动。片内寻址的地址线增加2根,片选信号接8031的P2.7,CE2通过一个电阻接十5V。 2.扩展多片RAM 图8-18是8031扩展2片6264作为外部数据存储器的接口电路。图中还接有2片2764作为外部程序存储器,采用全译码方式产生片选信号。一片6264和一片2764共用一个片选信号,因此其地址空间是重叠的。由于程序存储器和数据存储器的控制信号不同,这种地址重叠是允许的。译码器的输出留有空余,可供给扩展的I/O等使用。 8.3.3 扩展数据与程序兼用的存储器 MCS-51系列单片机中的数据存储器和程序存储器是严格区分的,两者操作所用控制信号不 同,读写外部数据存储器用RD 、WR ,读外部 程序存储器用PSEN 。在某些情况下,如调试程序时,希望将程序放在外部RAM中,既能够方便地修改,又要能够运行,也就是要求数据存储器同时具有程序存储器的功能。要实现这点,只要在电路上作一点改动。例如,对于图8-18,可以 将8031的RD和PSEN经过一个“与”门后,再接到 6116的OE端。在一些单片机开发装置中,就是这样用的。 EEPROM能在线擦写,因此不仅能作程序存储器,也能作数据存储器。例如,在原来作为程序存储器的EEPROM内划出一个区域,存放需要经常读写的数据。为了对这个数据区的读写操作都能使用MOVX指令,在电路上要作一点改动。 下面以一个例子说明如何实现数据存储器和程序存储器的合用。 在程序调试阶段,需要把指令送人存储器中,执行时又要能方便地读出。同时,调试过程中指令可能要随时修改,这就需要可读写的程序存储器。然而8031中的程序存储器是只读的,无法满足要求。 为解决这一问题,使同一地址区域中的EPROM和RAM芯片能够互换使用,其接口电路如下图中所示。将8031的PSEN和RD作为与门的输入,与门输出接到EPROM或RAM的OE,按这种接线方式,在存储器插座上既可以插入EPROM,又可以插入静态RAM,同时对两种存储器的取指令也可任意使用,给软件编写及调试带来了方便。 1、如何根据存储芯片的型号来判断存储容量? 2、参照下图,直接写出存储芯片的存储地址。 作业 P133 第1、2、4、5、6题 * 其主要性能见下表 DIP28 200 200 8KB×8 6264 DIP24 160 200 2KB×8 6116 封装 额定功耗/mW 读写时间/ns 容量/bit 型 号 性 能 6116的工作方式 DIN 0 1 0 写 DOUT 1 0 0 读 高阻 1 1 0 输出禁止 高阻 × × 1 未选中 IO7~I O0 WE OE CE 引 脚 工作方式 6264的工作方式 DIN 0 1 1 0 写 DOUT 1 0 1 0 读 高阻 1 1 1 0 输出禁止 高阻 × × 0 × 未选中 高阻 × × × 1 未选中 IO7~I O0 WE OE CE2 CE1 引 脚 工作方式 8031扩展两片RAM和两片EPROM的接口电路 PSEN:访问外部程序存储器 8031扩展数据和程序兼用的存储器接口电路 尾数/8为容量值,例如16/8=2KB XXXXX00000000000B~XXXXX11111111111B 当XXXXXB=00000B对应地址为: 0000000000000000B~0000011111111111B 即:0000H ~07FFH 你还能写出其他可能出现的地址吗? *

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