氩离子束刻蚀制作大面阵微透镜阵列.doc

氩离子束刻蚀制作大面阵微透镜阵列 第26卷增刊(I) 1998年11月 华中理工大学 J.HuazhongUniv.ofSci.8LTech. Vo1.26Sup.I NOV.1998 IO—I)--氩离子束刻蚀制作大面阵微透镜阵列 张新宇何苗赵兴荣7jLI,_’-一’,I (华中理工大学光电子工程系) 摘要对制作大面阵微透镜阵列的氩离子束封蚀技术进行丁讨论和分析.实验结果表明?村底材料不同时? 制作表面形貌良好并具有预定参数指标要求的微透镜阵列的工艺条件有明显的差异?给出了在几种衬底材 料上封蚀制作面阵擞透镜阵列的离子柬封蚀速率与离子柬能量之间相互关系的实掼I结果. 作儆建谠咧.分类号丽～儆惩镜y.f 采用离子束微细加工技术制作微光学阵列元 件的方法中较易实现的是离子束物理溅射刻蚀, 该方法以其所具有的显着优点已应用于微米,亚 微米级微光学阵列元件的制作,是近年来发展较 快的一种精密的微细加工手段_l].本文讨论和 分析了离子束刻蚀速率的特点,给出了离子束刻 蚀速率与离子束能量之间相互关系的实测结果. 1离子束刻蚀 离子束刻蚀制作大面阵矩底拱面状微透镜阵 列及球冠状微透镜阵列的操作在国产LD-3型离 子束镀膜刻蚀机上进行.根据实验所得出的离子 束刻蚀速率s的经验关系式为 S—S(b,Y(E.),户,P0,,吼,K,) —l’2,…,5,(1) 式中,为离子束的束流密度;P为靶材料的密 度?P口为作离子束刻蚀的材料所必须具有的最小 密度}y(E,)为溅射产额;为离子柬对靶材料 所作刻蚀的角度;乳为初始位相;K至均为各 相关常数.衬底材料不同时.式(1)中的参量P, ,Y(E,),K-至各异,参量,和角度也要 随之作相应的调整.在上述关系中的P0代表了作 刻蚀的靶材料所须具有的临界密度.吼代表具有 复杂几何轮廓的靶材表面处入射离子束入射方向 的变动所导致的刻蚀速率的改变,.(一1,2, …,5)代表与靶材自身的特点密切相关的调整 因子.在以往的经典文献中这几个因素的作用未 明确提出. 2工艺参数 用本研究的离子束溅射刻蚀系统在ZrO.? InP,Si及SiO基片上刻蚀制作大面阵矩底拱面 状微透镜图形阵列和球冠状微透镜图形阵列-采 用以上所述衬底材料的原因是因为它们是光电子 器件,光纤通讯器件及光计算用元器件的制作中 较为常用的材料,而且溅射产额高,易于清洗,后 处理工序简单,所用光致抗蚀剂为国产BP212紫 外正型.实验中首先利用光刻热熔法制作光致抗 蚀剂掩模图形并经固化处理,然后利用离子束刻 蚀将光致抗蚀剂掩模图形转移到衬底材料上?最 后通过轮廓仪(英国DETAK—I型)测出刻蚀速 率.以下所述分别为在实验中所使用的几种衬底 材料的离子束刻蚀速率的实测结果.图1和图2 固1Si衬底上所制作的128×128元光致 抗蚀荆掩膜图形的SEM照片 所示分别为在si衬底上制作的128×128元光致 抗蚀剂掩模图形和128×128元面阵si微透镜阵 列的SEM照片,图3所示为面阵矩底拱面状si 收稿日期{1997一lD_鹋. 张新宇,男,1965年生?博士I武汉,华中理工大学光电子工程系(430074) 增刊(1)张新宇等:氢离子束刻蚀制作大面阵徽透镜阵列 【a)128×128元球冠状(b)128×128元矩底拱面状 图2Si散透镜阵列的SEM照片 微透镜阵列的表面探针测试曲线.在ZrO,InP及 图3矩底拱面状Si馓透镜阵列的 表面探针测试曲线 (垂直7.468om一水平27m) SiO2基片上刻蚀制作的大面阵矩底拱面状微透 镜图形阵列与si衬底上的类似,在此不再给出. 在实验过程中,离子束的束流入射角均为40.. 2.1光致抗蚀剂掩横图形的离子束刻蚀速率 经过固化处理的光致抗蚀剂掩模图形的离子 束刻蚀速率随入射离子束能量的变化而改变的?隋 况见图4V曲线,图中的实线是对实验数据拟 E/eV 图4光致抗蚀剂掩模和si村底的离子束刻蚀 速率与人射离子束能量的关系 合后得到的.由此图可见.随着入射离子束能量的 提高,刻蚀速率逐渐增大,当离子束能量约超过 750eV后,逐渐呈较为缓慢的增长趋势.由于对 光致抗蚀剂掩模图形所作固化的程度不同时,荆 蚀速率与离子束能量的关系曲线有较为显着的差 异,故此处仅给出对光致抗蚀剂掩模图形经过中 等程度的固化后所得到的实验参数曲线. 2.2sj衬底的离子束刻蚀速率 图4Vs,曲线为si衬底的离子束荆蚀速率与 入射离子束能量的关系曲线.由此图可见,该曲线 与光致抗蚀剂掩模图形的情况类似.离子束荆蚀 速率的大小也较为接近. 2.3ZrOz村底的离子束刻蚀速率 图5V.曲线为ZrO衬底的离子束刻蚀速 E,eV 图5ZrO:,InP和石英衬底的离子束刻蚀速率 与人射离子束能量的关系 率与入射离子束能量的关系曲线,较