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低介电常数材料的特点、分类及应用 胡扬 摘要: 本文先介绍了低介电常数材料（Low k Materials）的特点、分类及其在集成电路工艺中的应用。指出了应用低介电常数材料的必然性，举例说明了低介电常数材料依然是当前集成电路工艺研究的重要课题，并展望了其发展前景。正文部分综述了近年研究和开发的材料，如有机和无机低ｋ材料，掺氟低ｋ材料，多孔低ｋ材料以及纳米低ｋ材料等， 关键词：低介电常数；聚合物；掺氟材料；多孔材料；纳米材料 1．引言 随着ULSI器件集成度的提高，纳米尺度除用低电阻率金属（铜）替代铝，普遍采用的SiO2（k：39～42）。对工艺集成的研究，成为半导体ULSI工艺的重要分支。这些低ｋ材料需：电性能低损耗和低泄漏电流；机械性能高附着力和高硬度化学性能耐腐蚀和低吸水性；热性能高稳定性和低收缩性。介电常数不仅仅决定于材料本身的固有性质，而且会因为制备条件和方法的不同而有所变化。化学汽相沉积是制备ＵＬＳＩ低介材料的重要技术，沉积不同的薄膜应采用不同的ＣＶＤ技术，而制备同一种薄膜采用的ＣＶＤ技术不同，也会使材料的某些性能有所差异。例如用ＰＥＣＶＤ制备的ＳｉＣＯＨ薄膜，ｋ值可由先前的２４降至２１，若将它在４００ 下进行４ ｈ的后期退火，可进一步降低ｋ值至１９５。通过对沉积方法的选择和对沉积参数的优化，能得到更符合要求的低介材料薄膜。.１有机低ｋ材料有机低ｋ材料种类繁多，性质各异，其中以聚合物低ｋ材料居多。重点介绍聚酰亚胺聚酰亚胺（PI）是一类以酰亚胺环为结构特征的高性能聚合物材料，介电常数为34左右，掺入氟，或将纳米尺寸的空气分散在聚酰亚胺中，介电常数可以降至23～28。介电损耗角正切值为10-3，介电强度为1～3 MV／cm，体电阻率为1017 Ω·ｃｍ。这些性能在一个较大的温度范围和频率范围内仍能保持稳定。聚酰亚胺薄膜具有耐高低温特性和耐辐射性、优良的电气绝缘性、粘结性及机械性能。聚酰亚胺复合薄膜还具有高温自粘封的特点。聚酰亚胺低ｋ材料目前已广泛应用于宇航、电机、运输工具、常规武器、车辆、仪表通信、石油化工等工业部门。它可作耐高温柔性印刷电路基材，也可以作为扁平电路、电线、电缆、电磁线的绝缘层以及用作各种电机的绝缘等。 一种孔洞尺寸为纳米级，介电常数低于24的芳香性聚酰亚胺泡沫材料已经问世。它是目前制备聚酰亚胺玻璃布覆铜板的新型介电材料。制备聚酰亚胺纳米泡沫材料的一般方法为：通过共缩聚反应，合成热稳定性好的聚酰亚胺再与一些带有氨基的、热稳定性差的齐聚物镶嵌或接枝而成为共聚物。全芳香聚酰亚胺开始分解温度一般都在500℃左右。由联苯二酐和对苯二胺合成的聚酰亚胺，热分解温度达到600 ℃，这是迄今聚合物中热稳定性最高的品种之一。除聚酰亚胺外，还有硅烷交联聚乙烯和四甲基硅甲烷聚合物低ｋ材料也具有一些特殊的性质。硅烷交联聚乙烯耐电压、耐热、耐腐蚀、电阻系数高、介电常数小、机械性能好、加工便利，它被广泛应用于制造电力电缆、聚乙烯管、交联聚乙烯铝塑复合管材等。．２无机低ｋ材料典型的无机低ｋ材料有无定形碳氮薄膜、多晶硼氮薄膜、氟硅玻璃等。．２．１无定形碳氮薄膜无定形碳氮薄膜ａＣＮｘ，在１ ＭＨｚ频率下介电常数值可降至19。并且它比一般ａＣＮｘ具有更高的电阻率。用Ｃ２Ｈ２和Ｎ２作为原料气体，硅作为衬底，电子回旋加速器共振等离子区制备的ａＣ∶Ｎ的介电常数值在１ ＭＨｚ下能达到２。当氮碳原子比例增加或者进行氟掺杂时，ｋ值有进一步的减小。目前最好的结果测得在１ ＭＨｚ下ａＣ∶Ｎ和ａＣ∶Ｎ∶Ｆ的介电常数值最低分别为１４和１２。薄膜的热稳定性通过在气体原料中加入氩气并将氮原子与无定形碳的网状结构结合而得到改善。ａＣ∶Ｎ的特征电阻率为１０１７ Ω·ｃｍ，击穿场强为４６ ｋＶ／ｍｍ，这样好的电抗性质很适合做为介电材料，被考虑作为一种低ｋ互连介质应用于ＵＬＳＩ中。另外，ａＣ∶Ｎ得到广泛的关注还由于它具有独特的菱形外观，化学性质稳定，不易与其他物质发生反应，良好的机械性能与电性能以及光学性质，因此它有很多用途，例如作为平板显示器的电子发射器材料的候选者等。 ．２．２多晶硼氮薄膜以ｐＳｉ为衬底，ＢＣｌ３、Ｎ２和Ｈ２为原料，利用ＰＡＣＶＤ技术合成的多晶硼氮薄膜ｋ值能够达到２２。进一步研究发现，Ｃ原子的加入能有效地降低ｋ值。这种薄膜具有一定的机械硬度和化学稳定性，有很高的热传导率和较宽的能带隙（６ ｅＶ），在场强为 ＭＶ／ｃｍ时，其泄漏电流值为５７×１０Ａ／ｃｍ２，并且有望进一步减小。除了用做互连介质外，它在电子和光电子器件的应用上也是一种很有前途的材料，如场发射器等。 ．２．３氟硅玻璃它是一种无机低ｋ材料，能扩大ＳｉＯ２的化学汽相沉积过程，在普通玻璃中加入氟，提高了填充能隙同时减低了介电常数。这种材料的性能很大程度上由其加工条件和原料物