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一维氧化锌纳米材料的制备及其电致发光器件的研究-材料物理与化学专业论文
独创性声明本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作和取得的 研究成果,除了文中特别加以标注和致谢之处外,论文中不包含其他人已经发表 或撰写过的研究成果,也不包含为获得 天津大学 或其他教育机构的学位或证书而使用过的材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中 作了明确的说明并表示了谢意。学位论文作者签名:签字日期:年月日学位论文版权使用授权书本学位论文作者完全了解 天津大学有关保留、使用学位论文的规定。 特授权 天津大学 可以将学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检 索,并采用影印、缩印或扫描等复制手段保存、汇编以供查阅和借阅。同意学校 向国家有关部门或机构送交论文的复印件和磁盘。(保密的学位论文在解密后适用本授权说明)学位论文作者签名:导师签名:签字日期:年月日签字日期:年月日中文摘要氧化锌(ZnO)是一种重要的宽禁带半导体材料,它具有较高的激子束缚能(60meV),在紫外及可见光范围内存在多个由于激子或本征缺陷引起的发光峰。 同时,ZnO 具有优异的光学和电学特性,优良的抗辐射能力,高的热稳定性和化学稳定性,低廉的价格而且环保无毒,这些突出的优点使 ZnO 成为一种极有前 途的短波长光电功能材料,并引起了研究者广泛的关注。本论文中,我们采用相 对简单但精心优化的制备工艺,制备出能够应用在电致发光器件中的一维 ZnO纳米棒。以 ZnO 纳米棒为发光层,构建了 ITO/ZnO 纳米棒/PVK/Al 的电致发光 器件,并对电致发光器件的发光机理进行了深入的探索。首先,我们分别采用模板法和化学浴沉积法制备了 ZnO 纳米棒阵列。鉴于下一步在电致发光器件中的应用,重点研究了化学浴沉积法制备 ZnO 纳米棒阵 列的条件及不同的生长条件对 ZnO 纳米棒结构及发光性能的影响,并提出了应 用于电致发光器件的最佳制备工艺。研究结果表明:采用化学浴沉积法在透明的 ITO 导电玻璃上生长的 ZnO 纳米棒垂直于衬底、分布均匀,尺寸单一性好,具 有六方纤锌矿结构,并且纳米棒的直径和长度均可由实验条件控制。比起传统的 制备方法,该方法制备的纳米棒阵列具有操作简单、制备成本低、阵列的质量高 等优点。其次,我们构建了 ITO/ZnO 纳米棒/PVK/Al 电致发光器件。为了更好的分析 器件的发光机理,我们又分别构建了 ITO/ZnO/Al 和 ITO/PVK/Al 电致发光器件进行对比,并对其电致发光器件的 I-V 曲线以及 EL 谱做了深入的分析。由于 ITO 与 ZnO 之间存在较大的空穴势垒,在一定程度上限制了器件的发 光性能。本文首创性地构建了 ITO/ZnO 纳米棒/PVK/Al 倒置结构的电致发光器件,有效提高了器件的发光强度,实现了不通过掺杂的、无 p-n 结结构的、发射 白光的 ZnO 发光器件。这一器件的发射光谱中包括了来自 ZnO 的激子复合的紫 外发光和较强的 ZnO 缺陷发光,它们在可见光区域的混合导致了白光的出现。在电致发光谱测试中,无论是器件的正置结构还是倒置结构,我们都观察到 了尖锐的发光峰的出现。从理论上推断出,尖锐峰的出现是器件在电场作用下产 生的随机激光。每一个尖锐峰对应于一个自发辐射过程,许多自发辐射光子通过强烈的多重散射而获得大于损耗的增益,并由此产生随机激光。其中,ZnO 纳米 棒垂直于衬底的生长以及其高度的均匀性对器件产生激光来说是非常重要的。此 现象的发现,使得 ZnO 纳米棒在光电子器件方面有了更广阔的应用前景。关键词: ZnO 纳米棒 化学浴沉积法 电致发光ABSTRACTZnic oxide (ZnO), an important semiconducting oxide with a wide-direct band gap (3.37eV) and a large exciton-binding energy (60meV) at room temperature, is considered as a promising material for various photonic and electrical applications due to its special physical and chemical properties. ZnO can emit ultraviolent or visible lights in a wide range due to a number of intrinsic and extrinsic defects in it. In this dissertation, we firsly prepared ZnO nanorods by a simple but refined method, and
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