第6章集成无源器件版图设计.ppt

第6章 集成无源器件版图设计 6.1 引言 6.2 薄层集成电阻器 6.3 有源电阻 6.4 集成电容器 6.5 电感 6.6 互连线 6.7 传输线 6.1 引 言 6.2 集 成 电 阻 器 薄层集成电阻器 薄层集成电阻器 薄层电阻的几何图形设计 6.4.3 PN结电容 6.4.4 MOS结构电容 MOS结构电容 MOS结构电容 6.5 电 感 6.5.2 传输线电感 6.6 互 连 线 6.7 传输 线 6.7 传输 线 6.7.3 共 面 波 导 共 面 波 导 * 集成电路可以认为是由元器件组成的。元器件可以分为 无源的和有源的两类。集成电路中的无源元件包括电阻、 电容、电感、互连线、传输线等，有源器件就是各类晶 体管。 本章我们将重点给出集成元器件版图常见图形及设计原则。 集成电路中的电阻分为 ： 无源电阻 通常是合金材料或采用掺杂半导体制作的电阻 有源电阻 将晶体管进行适当的连接和偏置，利用晶体管的不 同的工作区所表现出来的不同的电阻特性来做电阻 合金薄膜电阻 多晶硅薄膜电阻 采用一些合金材料沉积在二氧化硅或其它介电材料表面上，通过光刻形成电阻条。常用的合金材料有： （1）钽（Ta）； （2）镍铬（Ni-Cr）； （3）氧化锌SnO2；（4）铬硅氧CrSiO。 特点：较高的精度，较低温度系数和较大电流承载能力 掺杂多晶硅薄膜也是一个很好的电阻材料，广泛应用于 硅基集成电路的制造。 掺杂半导体电阻 不同掺杂浓度的半导体具有不同的电阻率，正是利用掺杂 半导体所具有的电阻特性，可以制造电路所需的电阻器。 根据掺杂方式，可分为： 离子注入电阻 扩散电阻 对半导体进行热扩散掺杂而构成的电阻 。 特点：工艺简单、兼容性好、但精度稍差 离子注入方式形成的电阻的阻值容易控制，精度较高。 常用的薄层电阻图形 薄层电阻图形尺寸的计算 方块电阻的几何图形 ＝R□· 5k 2k 1k N阱（或P阱） 10 4 2 硅氧化物扩散 100 25 10 扩散层 6 3 2 硅-金属氧化物 30 20 15 多晶硅 0.05 0.04 0.03 顶层金属 0.1 0.07 0.05 互连金属 最大值 典型值 最小值 材料 0.5-1.0?m MOS工艺中作为导电层的典型的薄层方块电阻阻值 单位:Ω/口 薄层电阻端头和拐角修正 不同电阻条宽和端头形状的端头修正因子 薄层电阻温度系数 电阻温度系数TC是指温度每升高1℃时，阻值相对变化量： 在SPICE程序中,考虑温度系数时，电阻的计算公式修正为： 薄层电阻射频等效电路 芯片上的薄层电阻的射频双端口等效电路： 衬底电位与分布电容： 6.3 有 源 电 阻 MOS有源电阻及其I-V曲线 直流电阻： 交流电阻： Ron︱VGS=V ＝ 有 源 电 阻 有源电阻的几种形式： 饱和区的NMOS有源电阻示意图： 6.4 集成电容器 在集成电路中，有多种电容结构： 金属-绝缘体-金属(MIM)结构 多晶硅/金属-绝缘体-多晶硅结构 金属叉指结构 PN结电容 MOS电容 6.4.1 平板电容 制作在砷化镓半绝缘衬底上的MIM电容结构： 考虑温度系数时，电容的计算式为： 平板电容 电容模型等效电路： 固有的自频率： 实际中让电容工作在?0/3以下 6.4.2 金属叉指结构电容 优点：不需额外工艺 两条金属连线之间的电容可认为是叉指电容特例。 突变PN结电容计算公式： 任何pn结都有漏电流和从结面到金属连线的体电阻，因而， 结电容的品质因数通常比较低。结电容的参数可以采用二 极管和晶体管结电容同样的方法进行计算。电容值依赖于 结面积，例如，二极管和晶体管的尺寸。 PN结电容的SPICE模型就直接运用相关二极管或三极管器 件的模型。 与平板电容和PN结电容都不相同，MOS核心部分，即 金属-氧化物-半导体层结构的电容具有独特的性质。 它的电容-电压特性取决于半导体表面的状态。 随着栅极电压的变化，表面可处于： 积累区 耗尽区 反型区 MOS电容　(a)物理结构 (b)电容与Vgs的函数关系 MOS动态栅极电容与栅极电压的函数关系 6.5.1 集总电感 集总电感可以有下列两种形式： 单匝线圈 多匝螺旋型线圈 多匝直角型线圈 硅衬底上电感的射频双端口等效电路： 单端口电感的另一种方法是使用长度lλ/4波长的短路传输线 (微带或共面波导)或使用长度在λ /4 l λ /2范围内的开