清华大学微电子器件与电路课件——张进宇ch10-1.pptVIP

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 10.6.2 截止频率 说明：设计高频率的BJT，需要通过减小尺寸来减小结电容，通过缩短基区宽度来减小基区渡越时间。 * 10.7 大信号开关特性 10.7 大信号开关特性 BJT也可以工作在开关状态，此时外加信号为大信号。BJT在截止关断和饱和导通两种状态之间转换，如下图10.44所示：右图为工作在开关状态的双极型晶体管电路图，左图为输入的开关信号波形图。 当t=0时，输入信号由低电平变为高电平；当t=t3时，输入信号则由高电平变为低电平。 图10.44 * 10.7 大信号开关特性 上图为BJT的集电极电流的变化波形，其中td称为延迟时间，tr称为上升时间，ts称为存储时间，tf称为下降时间。 在td时间内，发射结充电，BJT逐渐开始导通； 在tr时间内，基区载流子积累，BJT逐渐进入饱和； 在ts时间内，抽取基区过剩载流子，逐渐退出饱和； 在tf时间内，发射结放电，BJT逐渐变为关断 图10.44 * 10.7 大信号开关特性 图10.45 当BJT分别处于正向放大状态和饱和状态时，器件基区和集电区中的电荷存储效应 饱和状态?? * 10.8 BJT器件制造技术简介 10.8 BJT器件制造技术简介 本节将介绍几种典型的双极型晶体管制造技术，包括多晶硅发射极晶体管、锗硅基区晶体管和双极型功率晶体管。 10.8.1 多晶硅发射极晶体管 图10.46 * 10.8.1 多晶硅发射极晶体管 利用多晶硅发射极减小发射区中过剩少数载流子空穴的浓度梯度，从而提高发射结的正向注入效率，因为： 又因为： 因此BJT发射区中过剩少数载流子空穴的浓度梯度大大降低（如下页图10.47所示），从而可以有效地提高BJT的发射结注入效率及其共发射极电流增益。 相当于改变边界条件 * 10.8.1 多晶硅发射极晶体管 图10.47 多晶硅发射极和n+发射区中过剩少数载流子空穴的浓度梯度示意图 * 10.8.2 双层多晶硅npn-BJT的制造技术 10.8.2 双层多晶硅npn-BJT的制造技术 (1) 制作n+埋层；(2) 生长n型外延层、沟槽隔离、淀积p+多晶硅层；(3)光刻刻蚀形成发射结窗口； * 10.8.2 双层多晶硅npn-BJT的制造技术 (4) 硼离子注入形成本征基区、p+扩散形成非本征 基区；(5) 光刻刻蚀发射区窗口、淀积第二层n+多 晶硅发射极，最后制作金属电极。 * 10.8.2 双层多晶硅npn-BJT的制造技术 最后完成的双层多晶硅npn-BJT剖面结构示意图 相当于在各电极上生成多晶硅减少浓度梯度。 * 10.8.3 锗硅基区晶体管 10.8.3 锗硅基区晶体管 采用禁带宽度较窄的锗硅材料来制作双极型晶体管的基区，可以提高发射结的注入效率，增大基区的掺杂浓度，降低基区电阻；利用基区锗组分的变化，还可以形成基区加速场，减小载流子渡越时间，提高器件的频率特性。下图所示为锗硅基区晶体管中基区锗的组分变化以及器件的能带图。 * 10.8.3 锗硅基区晶体管 图10.50 热平衡情况下，锗硅基区晶体管与普通的硅晶体管基区中少数载流子电子的浓度分布示意图对比 * 10.8.3 锗硅基区晶体管 在热平衡情况下，双极型晶体管基区中少数载流子电子的浓度由下式给出： 其中基区掺杂浓度NB设为常数，由于本征载流子浓度是禁带宽度的函数，即： 由此可见，利用锗硅基区晶体管可以增大BJT的发射结注入效率、电流增益以及集电极电流；同时还允许增加基区掺杂浓度，从而减小基区电阻，提高器件的输出电阻和厄立电压。 需要仔细看看书。 * 10.9 总结 1. A. 有两种类型的双极晶体管，pnp和npn型。它们有三个掺杂的区域，两个pn结。因为中间的区域（基区）很薄，两个pn结能够发生相互作用。 B. 在正向放大区，B-E结正偏而B-C结反偏。多数载流子由发射区注入到基区，成为少数载流子扩散进入B-C的空间电荷区，从而被收集区收集。 C. 当晶体管工作在正向放大模式下，收集极电流被发射极和基极电压控制。这就是该晶体管基本的工作模式。 2. 利用双极扩散方程，我们计算了少子在各区的浓度分布。器件中的主要电流是这些少子的扩散电流。 * 10.9 总结 3. 我们讨论限制电流增益的一些因素：