薄膜物理第二章.pptVIP

第二章 薄膜的物理气相沉积（Ⅰ） —蒸发法 简 介 第一节 真空蒸发装置 第二节 物质的热蒸发 第三节 薄膜沉积的厚度均匀性 简 介 物理气相沉积Physical Vapor Deposition（PVD）： 指的是利用某种物理的过程，实现物质从源物质到薄膜的可控的原子转移过程。 特点： 1、需要使用固态的或者熔化态的物质作为沉积过程的源物质； 2、源物质要经过物理过程进入气相； 3、需要相对较低的气体压力环境； 4、在气相中及衬底表面并不发生化学反应。 第一节 真空热蒸发(Thermal Evaporation) 装置 一、电阻式加热 二、电子束加热 三、真空电弧加热 四、激光加热 一、电阻式加热源 （Source） 加热用的电阻材料应满足条件： 1、能够使用到足够高的温度并且在高温下具有较低的蒸气压 2、不与被蒸发物质发生化学反应 3、无放气现象和其他污染 4、具有合适的电阻 二、电子束Electron Beam(E-Beam)加热蒸发 平板显示技术 第一代：TFT-LCD (Liquid crystal display, 薄膜晶体管液晶显示器) 第二代：PDP（等离子体平板显示器）, FED（场致发射平板显示器） 大屏幕投影显示: LCOS (Liquid crystal on silicon) 第三代： OLED (organic light emission devices)，“梦幻显示器”。 FED——挑战传统CRT显示技术CRT显示速度快，图文显示的标准  LCOS 下一代显示技术将具有高分辨率、低功耗、超大屏幕、户外显示能力、低制造成本5大基本特征，但目前还没有一种技术可以同时满足这些条件。 三、真空电弧（Vacuum Arc Evaporation\Deposition\Coating） 原理： 将欲蒸发的材料制成放电电极，在薄膜沉积时，依靠调节真空室内电极间距的方法来点燃电弧，而瞬间的高温电弧将使电极端部产生蒸发从而实现薄膜的沉积。 方法： 1、直流加热法 2、交流加热法 四、激光加热蒸发(Laser Evaporation)激光磨削（Laser Ablation）脉冲激光沉积(Pulsed Laser Deposition) 优点： 1、加热温度高，可避免坩埚污染 2、材料的蒸发速率高，蒸发过程容易控制 3、粒子能量一般显著高于其他的蒸发方法 4、适用于蒸发成分比较复杂的合金或化合物材料 第二节 物质的热蒸发  （Thermal Evaporation） 一、物质的蒸发速度 二、元素的蒸气压 三、化合物和合金的蒸发 一、物质的蒸发速度 在一定的温度下，每种液体或固体物质都具有特定的平衡蒸气压。只有当环境中被蒸发物质的分压降低到了它的平衡蒸气压以下时，才可能有物质的净蒸发。由式1-7[1-24]，单位源物质表面上物质的净蒸发速率应为： 由于物质的平衡蒸气压随着温度的上升增加很快，因而对物质蒸发速度影响最大的因素是蒸发源的温度。 二、元素的蒸气压 克劳修斯-克莱普朗方程指出，物质的平衡蒸气压p随温度的变化率可以定量地表达为： 三、化合物和合金的蒸发 化合物的蒸发过程中： 蒸发出来的蒸气可能具有完全不同于其固态或液态的成分；在气相状态下，还可能发生化合物各组元间的化合与分解过程。上述现象的一个直接后果是沉积后的薄膜成分可能偏离化合物正确的化学组成。 合金的蒸发过程可以由热力学定律来描述。当AB二元合金的两组元A-B原子间的作用能与A-A或B-B原子间的作用能相等时，合金即是一种理想溶液。由理想溶液的拉乌尔定律，合金中组元B的平衡蒸气压pB将小于纯组元B的蒸气压pB(0)，并与它在合金中的摩尔分数xB成正比，即 对于初始成分确定的蒸发源来说，由上式确定的物质蒸发速率之比将随着时间变化而发生变化。 解决办法： 1、用较多的蒸发物质作为蒸发源； 2、采用向蒸发容器中每次只加入少量被蒸发物质的方法，使不同的组元能够实现瞬间的同步蒸发； 3、利用加热至不同温度的双源或多源的方法，分别控制和调节每一组元的蒸发速率。 四、蒸发沉积薄膜的纯度 蒸发沉积薄膜的纯度取决于： 1、蒸发源的纯度； 2