模拟电子技术基础03.pptVIP

* * * * * * 5.2.1混合π型高频小信号模型 混合π型高频小信号模型是通过三极管的物理 模型而建立的，三极管的物理结构如图05.05所示。 rbe--- re归算到基极回路的电阻 ---发射结电容，也用C?这一符号 ---集电结电阻 ---集电结电容，也用C?这一符号 rbb ---基区的体电阻，b是假想的基区内的一个点。 图05.05 双极型三极管 物理模型 （1）物理模型 --- 发射结电阻 r e 根据这一物理模型可以画出混合π型高频小信号模型，如图所示。 这一模型中用 代替 ，这是因为β本身就与频率有关，而gm与频率无关。 （2）用 代替 β的幅频特性 当20lgβ下降3dB时,频率f? 称为共发射极接法的截止频率 当β=1时对应的频率称为 特征频率fT，且有fT≈β0f? β0 即低频时的β 可见gm是?0和rb’e的比值，因此gm与频率无关。 gm称为跨导 若IE=1mA，gm=1mA/26mV≈38mS。 gm还可写成 在π型小信号模型中，因存在Cb’c 和rb’c,对求解不便，可通过单向化处理加以变换。首先因rb’c很大，可以忽略，只剩下Cb’c 。可以用输入侧的C?’和输出侧的C?’’两个电容去分别代替Cb’c ，但要求变换前后应保证相关电流不变. （3）单向化 输入侧 则定义 令放大倍数 , ’ L m R g K = 也称为密勒电容 输出侧 所以 由于C?“ C?‘ , 所以输出端电容忽略，输入端电容C?’保留，它与Cbe并联后的总电容为：C? =Cbe+ C? 。 简化后的三极管的高频小信号模型如下图： C? =Cbe+ C? 对于图05.11所示的共发射极接法的基本放大电路，分析其频率响应，需画出放大电路从低频到高频的全频段小信号模型，如图05.12所示。然后分低、中、高三个频段加以研究。 图05.11 CE接法基本放大电路 图05.12 全频段微变等效电路 5.3 共射极放大电路的频率特性 5.3.1 高频段频率响应 将全频段小信号模型中的C1、C2和Ce短路，即可获得高频段小信号模型微变等效电路，如图05.13所示。 图05.13 高频段微变等效电路 将左图经过变换可得到右图，其中： R =[(Rs //Rb)+rbb ]//rbe VS’ ≈ VS rbe / (Rs //Rb+rbb + rbe) 显然这是一个RC低通环节，其时间常数 ?H= RC? ={[(Rs //Rb)+rbb ]//rbe}C? 于是上限截止频率fH=1/2??H 。 AVS=VO/VS =VO / Vbe *Vbe /VS ’ *VS ’ / VS =－gm RL’ *1 / (1+jwRC?) *rbe / (Rs //Rb+rbb + rbe) = AVSM/ (1+jwRC?) AVSM = －gm RL’ rbe / (Rs //Rb+rbb + rbe) ∵gm = ? / rbe∴ AVSM即是中频电压放大倍数。 求AVS = AVSM/ (1+jwRC‘?)的幅频特性： 20lg︱ Avs︱= 20lg︱ AvsM ︱＋ 20lg 其幅频特性是在RC低通特性曲线（蓝色）沿Y轴方向上上移了20lg︱ AvsM︱ (dB)。 图中上移了60 dB相当于︱ AvsM︱ =1000 其相频特性是在RC低通特性曲线（蓝色）沿Y轴方向上下移180?。 求AVS = AVSM/ (1+jwRC’?)的相频特性： =－180°+ （动画5-3） 例题：放大电路中已知:VCC=18V,RS=300Ω,Rb1=56kΩ, Rb2=16kΩ, Rc=6kΩ, Re1=3.3kΩ, RL=12kΩ, rbb‘=100 Ω, β=100, VBEQ =0.7V, Cb’c=4pf, fT =150MHZ 画出高频特性曲线。 解:(1)求中频电压增益 V B= VCC Rb2 / (Rb1+Rb2) IE=(V B －VBE) / Re1=1mA rbe = rbb‘+(1+ β) V T / IE =2.7K AV M= -?R’L /rbe = -148 AVSM = AV MRi / (Ri +RS) = AV rbe / (rbe +RS) = -133 (2)画出高频小信号等效电路,求取各参数 gm = IE / V T = 38mS ︱K︱= gm (RC∥RL)=152 C?’ =(1+ ︱K︱)