光电成像原理与技术－电视型电真空成像器件成像物理2010.pptVIP

按光电变换形式为 外光电变换型，如光电发射型摄像管 内光电变换型，光电导型摄像管（视像管） 7.3.1光电导型摄像管 利用内光电效应将输入的光学辐射图像变换为电信号的视像管。是目前发展最快、应用最多的一种。其光电导靶既作为光电变换器，又作为电信号存储与积累器。因此这种摄像管结构简单。 1、组成及作用 光电导靶与电子枪 光电导靶 光窗 信号极 靶 完成光电变换与信号存储 电子枪：发射系统和聚焦偏转系统。具体包括灯丝、热阴极、控制栅极、各加速电极和聚焦电极、靶网电极和管外的聚焦线圈、偏转线圈、校正线圈等 视频信号输出 2、分类 靶面结构 无结型：硫化锑管 结型：氧化铅管、硅靶管、异质结靶管 按光电导材料的性质 注入型光电导靶 阻挡型光电导靶 2.1 标准视像管的具体参数如下： 光电灵敏度为： 三场后的惰性为： 中心分辩力为：700TVL ： 0.65 广泛的应用于工业用闭路电视 2.2 摄像管的具体参数如下： 三场后的惰性为： ： 约为0.95 典型光电灵敏度为： 中心分辩力为：750TVL 在450线的输出调制度为35% 7.4 热释电摄像管 热释电摄像管是一种工作在 波段的热成像器件，其靶面为热释电材料，由于其具有不需制冷，结构简单，价格低廉且全天候，全被动的工作模式，得到了迅速发展。 7.4.1 热释电效应： 热释电效应是通过所谓的热电材料实现的。 1、热电体： （1）在某一范围内具有自发极化特性。极化的大小与温度有关。 （2）由电磁理论可知，在垂直于电极化矢量Ps的材料表面上出现面束缚电荷，面电荷密度 2、热电－铁电体： （1）如果对热电体施加直流电场，自发极化矢量将趋于一致排列(形成单畴极化)，总的Ps加大。且 （2）当电场去掉后，如果总的Ps仍能保持下去，这种热电体有时便称为热电－铁电体。它是实现热释电现象的理想材料。 （3）经过单畴化的热电体，保持有较大的 。这个值是温度的函数。 Tc：居里温度。自发极化突然消失。 在Tc温度以下，才有热 释电现象。 * * 二、摄像管的结构与工作原理 为了完成摄像任务，摄像管必须具有图像的写入、存贮过程即输入的光学图像照射在靶面上产生电荷(电位)图像；图像的阅读、抹除过程即扫描电子束从靶面上取出视频信号。 1、结构 光电变换部分 电荷存储与积累部分 信号阅读部分 光敏元件 光电发射体 光电导体 二次电子发射靶 电子轰击感应电导靶 光电导靶 扫描电子枪系统 细电子束发射源 电子束聚焦系统 电子束偏转系统 2、工作原理 (1)光电变换部分（将光学图像变成电荷图像） ①光电发射体 利用外光电效应，光阴极在光照下产生与光通量成正比的光电子流。 ②光电导体 目前应用最广泛的材料，基于内光电效应。通常光敏面与靶合二为一。 （2）电荷存储与积累部分 ①光电导积累 （3）信号阅读部分 现用的扫描方式有逐行扫描与隔行扫描两种方式 ②二次电子发射积累 电子束逐行扫描轨迹 （a）奇数场??????????（b）偶数场 隔行扫描的一帧电子束轨迹 隔行扫描重现图像示意图 像元从无光照到受强光照时输出信号的过程 放电过程 ①无光照时输出信号过程 当像元再次扫描时，电流通过束电阻 、 电容C、负载电阻 、靶电源和地构成回路向电容器C充电。 充电过程 充电过程 在充电过程中，A点的电位变化为: 充电电流在 上产生电压降 ，此电位变化通过电容器 输出，称为黑色电平 当强光照时，由于光电导增大而使电阻R变小，在放电过程中，A点的电位上升，最高的电位为： 当电子束再次扫描充电时，电位下降，其变化为： 放电过程 充电过程 ②强光照时输出信号过程 ③由于光照产生的有效信号为： 由此信号电压引起的充电电流在 上产生电压降 ， 称为白电平。此电位变化将作为由光照产生的信号电压通过 输出，即视频信息的白电平。 最终靶右侧扫描面A上的电压将等于阴极电位，即，C两端的电位差达到靶压。电子束在每个像元上停留时间约为 根据我国电视标准，可以算出讯道带宽为 Δf ＝0．0128M (MHz) 式中， M为垂直分辨力。 摄像管的分辨力通常以电视线或电视的行／帧高表示。也可以换算成以线对／毫米表示的分辨力，即 式中， h， l 分别为光栅高度和对角线的长度。 （2)光电转换特性 输出视频信号电流 ，与光敏面上的辐照度E的关系曲线 k：常数 ：灰度系数。随不同光敏面材料变化 （3）动态范围 摄像管所能允许的光照强度变化范围。其下限取决于低照度下的信噪比，上限决定于靶面储存电荷的能力。 7.3 摄像管的