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情况下,当光生电流和正向
电流相等的时候,P-N结两
端将建立起稳定的电势差
Voc(P区为正,N区为负),如
果与外电路接通,只要光生
电流不停止,就会有源源不
断的电流通过电路,P-N结
起到了一个电源的作用.这
就是太阳能电池的工作原
理.
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对于太阳能电池来说,当入射到上面太阳光的光谱确定以后,其转换效率主要取决于其短路电流Isc,开路电压Voc和填充因子FF;等效电路是描述太阳能电池的最一般方法;减反射膜基
础知;;;;用化学沉积工艺所形成的减反射层往往有玻璃结构(小的无定型结构),会减少紫外吸收。;图8.15 从裸露的硅表面和从覆盖有折射率为1.9和2.3的减反射膜的硅表面反射的正常入射光的百分比与波长的关系减反射膜的选取使得波长在600nm处产生最小的反射.虚线表示将硅封装在玻璃或有类似折射率的材料之下的???果.;;P E C V D基础知识 ;P E C V D的作用
P E C V D的工作原理
P E C V D的操作程序
P E C V D的生产流程
;P E C V D的作用;P E C V D的工作原理;SiNA 反应器的特点是它的等离子体源的组成是由几根(数目由系统的规模,即产值而定。L型是4根,XL型是6根)1米长的石英管平行并列,每根石英管内有一根铜棒天线,形成同轴系统。每根铜棒天线两端分别连接一个微波发生器。微波等离子体是一种不需电极和发热体的等离子反应系统。微波PECVD是由工作频率在2.45GHZ的微波与能源在低真空(10-1-10-2mbar)下,激发反应气体SiH4(硅烷)和NH3(氨),利用气体放电时产生的高温促使气体发生化学反应而淀积在衬底上形成SiN膜。在微波激发气体过程中,石英管外部周围形成一圈发紫色辉光的等离子体,并沿着石英管均匀分布。这种淀积方式衬底温度较低,为350℃-400℃,沿石英管方向均匀分布,分别调节石英管两端的微波功率,获得等离子体的密度。每根直线微波等离子源产生的等离子体大致是在直径为200mm、长度为1.5m(相当于等离子源长度)的范围内。增加这种微波等离子源的数目可形成大面积的等离子体源,也增加了等离子体面积,从而增加薄膜淀积的速率和改善薄膜的均匀性。由于微波等离子体有其独特的特点,它是由微波放电激发气体而产生,等离子体密度高,不需要大量离子撞击产生等离子体,这种等离子体的薄膜淀积技术将不产生任何离子对硅表面的损伤,即不产生表面复合中心。而等离子体内的大量H(氢)含量却对硅表面在淀积SiN薄膜中钝化和获得高钝化特性的含氢SiN膜有着巨大帮助。间接PECVD系统设计又使用反应气体的利用率提高气体转化与SiN的效率提高,气体损耗减少。为了增强等离子体均匀性和稳定性,在工作压力从10-2mbar到1mbar大范围内,在同轴系统的两边加了磁场,它同时还增强了等离子体的激发,提高等离子体密度和薄膜淀积速率。 ; SiNA系统是一个全自动连续工作的、与大规模生产线配套的PECVD淀积SiN膜在线设备,工艺稳定,生产方便,整个操作过程气流、气压、温度等工艺参数由计算机进行调控和监控。硅片置于1m×1m 的载片架上。对于L型设备,它的载片架可容36片125m×125m 的硅片,对于XL型设备,它的载片架可容66片125m×125m 的硅片。载片架输入SiNA系统以一个稳定的速度移动,硅片正面朝下,并位于腔体上方,即在经过工艺腔时是在石英管上方以垂直于石英管的
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