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1、动态存储单元及基本操作原理 T 存储单元 写操作:X=1 =0 T导通,电容器C与位线B连通 输入缓冲器被选通,数据DI经缓冲器和位线写入存储单元 如果DI为1,则向电容器充电,C存1;反之电容器放电,C存0 。 - 刷新R 行选线X 读/写 输出缓冲器/灵敏放大器 刷新缓冲器 输入缓冲器 位 线 B 7.2.3 动态随机存取存储器 读操作:X=1 =1 T导通,电容器C与位线B连通 输出缓冲器/灵敏放大器被选通,C中存储的数据通过位线和缓冲器输出 T / 刷新R 行选线X 输出缓冲器/灵敏放大器 刷新缓冲器 输入缓冲器 位 线 B 每次读出后,必须及时对读出单元刷新,即此时刷新控制R也为高电平,则读出的数据又经刷新缓冲器和位线对电容器C进行刷新。 1、动态存储单元及基本操作原理 7.2.4 存储器容量的扩展 位扩展可以利用芯片的并联方式实现。 ··· CE ┇ A11 A0 ··· WE D0 D1 D2 D3 WE CE A0 A11 4K×4位 I/O0 I/O1 I/O2 I/O3 D12 D13 D14 D15 CE A0 A11 4K×4位 I/O0 I/O1 I/O2 I/O3 WE 1. 字长(位数)的扩展---用4K*4位的芯片组成4K*16位的存储系统。 2.字数的扩展—用8K*8位的芯片组成32K*8位的存储系统。 RAM1 D0 D7 A0 A12 CE1 芯片数=4 RAM1 D0 D7 A0 A12 CE1 RAM1 D0 D7 A0 A12 CE1 RAM1 D0 D7 A0 A12 CE1 系统地址线数=15 系统:A0 ~ A14 A13 ~ A14? 2000H 2001H 2002H ┇ 3FFFH 4000H 400H 4002H ┇ 5FFFH 6000H 6001H 6002H ┇ 7FFFH 0000H 0001H 0002H ┇ 1FFFH 芯片:A0 ~ A12 7.2.4 存储器容量的扩展 32K×8位存储器系统的地址分配表 各RAM芯片 译码器有效输出端 扩展的地址输入端 A14 A13 8K×8位RAM芯片地址输入端 ? A12 A11 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 对应的十六进制地址码 ? ? Ⅰ ? ? ? ? 0 0 ? ? 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 ┇ 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 0000H 0001H 0002H ┇ 1FFFH ? ? Ⅱ ? ? ? ? 0 1 ? ? 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 ┇ 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 2000H 2001H 2002H ┇ 3FFFH ? ? Ⅲ ? ? ? ? 1 0 ? ? 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 ┇ 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 4000H 400H 4002H ┇ 5FFFH ? ? Ⅳ ? ? ? ? Y0 ? ? ? ? Y1 ? ? ? ? Y2 ? ? ? ? Y3 ? ? ? ? 1 1 ? ? 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 ┇ 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 6000H 6001H 6002H ┇ 7FFFH 字数的扩展可以利用外加译码器控制存储器芯片的片
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