第5章-位错理论应用.ppt

图5.33 位错源被不动面角位错包围 设由位错源发出的n个塞积的正位错距位错源为+L，n个负位错距位错源为-L，滑移面间的距离为h，则位错塞积群的平均间距为(Lh)1/2，将塞积群的n个位错视为强度为nb的大位错，则屈服应力为 位错密度 现在是 ，故 从 式中消去h，可得 将 代入上式并微分，得 此式为第Ⅱ阶段线性加工硬化率的表达式。实验求得 cm，则 。 在加工硬化第Ⅲ阶段，处于塞积群前面的螺型位错在应力作用下脱离原来滑移面，产生了交滑移，使形变得以继续进行，并使加工硬化系数下降。 具有层错的金属，位错在交滑移前需要束集，因此层错能低、层错宽度大的金属第Ⅲ阶段开始得比较晚。 交滑移的过程可借热激活来实现，因此 和 与温度和层错能的大小有关。 上述塞格的加工硬化理论虽然能较系统地说明了面心立方晶体加工硬化三个阶段的现象，但电子显微镜对金属薄膜的观察表明，除某些层错能低的合金外，实际上看不到位错塞积群，一般看到的都是位错缠结和胞状结构，在薄膜观察的基础上赫许（Hirsch）等提出了林位错的加工硬化理论，认为在线性硬化的第Ⅱ阶段，胞状结构生成，随流变的进行位错的平均自由程随位错密度的增加而减少，基于这一前提得出了与塞格不同的另一线性硬化的关系式。 近来有人根据薄膜晶体加工硬化的电子显微镜观察结构指出：加工硬化主要是由于位错密度的增加所致。随形变量的增加，组成三维位错网格的位错线段越来越短，胞壁发展得愈来愈完整，经过较多塑性形变后胞内的位错数目相对减少，位错可以借“拉开拉链”的方式突破一些位错网络的节点，随着位错的运动，位错的总长度不断增加，虽然在运动过程中由于交割可能使某些位错抵消，但总的来说位错密度不断增大。 在塑性变形过程中大量的形变能以热的形式放出，这是由位错运动时与其他位错的弹性交互作用、位错应力场的作用以及例如割阶互相抵消等因素造成的。 小 结 1.固溶强化效应 位错与溶质原子会产生弹性交互作用（柯氏气团）、化学交互作用（铃木气团）、电学交互作用和几何交互作用。 2.第二相粒子强化效应 对可变形粒子，粒子的性能是影响强化效果的关键，而粒子尺寸的影响较小。 对不可变形粒子，强化效果主要取决于粒子尺寸及弥散度，而与粒子本身性能无关。 两种粒子强化机制的控制因素虽有区别，但强化效果均随粒子的体积分数增大而提高。 3.晶界强化效应 晶界的特性： 1）晶界处点阵畸变大，存在着晶界能。因此晶粒的长大和晶界的平直化都能减少晶界面积，降低晶界的总能量，这是一个自发过程。 2）晶界处原子排列不规则，因此在常温下晶界的存在会对位错的运动起阻碍作用，致使塑性变形抗力提高，而高温下则相反。 3）晶界处原子偏离平衡位置，具有较高的动能，并且晶界处存在较多的缺陷，故晶界处原子的扩散速度比在晶内快得多。 4）在固态相变过程中，由于晶界能量较高且原子活动能力大，所以新相易于在晶界处优先形核。 5）由于成分偏析和内吸附现象，晶界熔点较低，故在加热过程中，因温度过高将引起晶界熔化和氧化，导致“过热”现象产生。 6）由于晶界能量较高、原子处于不稳定状态，以及晶界富集杂质原子的缘故，与晶内相比，晶界的腐蚀速度一般较快。 4.加工硬化效应 1）单晶体的加工硬化 2）多晶体的加工硬化 3）加工硬化的理论分析 第Ⅰ阶段，只有一个滑移系开动，所以此阶段的加工硬化率很低，位错运动的阻力主要是分布在各个滑移面上的位错所产生的内应力相加而造成的。 第Ⅱ阶段，由于次滑移系开动，主次滑移系上的位错交互作用生成不动的L-C面角不动位错，成为后续位错运动的障碍，因而加工硬化率急剧上升，滑移线逐渐变短。 第Ⅲ阶段，处于塞积群前面的螺型位错在应力作用下脱离原来滑移面，产生了交滑移，使形变得以继续进行，并使加工硬化系数下降。 变形越过晶界时，晶粒的取向将发生改变，这一点通过双晶实验可以证明。在双晶实验中，人们发现，随着两个晶体间取向差别的减少，两个晶体中的滑移面和滑移方向趋于一致，双晶的力学性质也就逐渐地从多晶体的性质转变为单晶体的性质。 另一个实验是“竹节”试样实验。在竹节试样中，晶界彼此平行，并且都垂直于拉伸轴的方向。起初，滑移引起的变形只是在最有利取向的晶粒内出现，而后扩展到其他晶粒。还发现各个晶粒的晶界附近包含有一个楔形区域见图5.26（a），在这个区域中没有发生滑移。这就表示滑移从一个晶粒发展延续到下一个晶粒是很困难的。 图5.26 晶界对滑移的影响 由于位错很难通过晶界从一个晶粒移动到另一个晶粒中去，多晶体的滑移过程不能依靠位错穿过晶界而传播到每个晶粒，所以位错在晶界处塞积起来。塞积群中的位错能够在其附近产生应力集中，并可能在