化合物半导体探测器.pptxVIP

化合物半导体探测器相关知识介绍共价键和离子键Si探测器Ge探测器NaI(Tl)闪烁探测器对化合物半导体材料的要求原子序数大禁带宽度大纯度和完整性高少数载流子的迁移率和寿命的乘积(即μτ) 大对材料和探测器制备技术要求高精度晶体势垒接触和欧姆接触GaAs、CdTe、HgI2特性能量分辨好效率高在室温下进行γ射线能谱测量工作原理入射光子与化合物发生相互作用产生电子-空穴对偏压使电子、空穴沿相反方向漂移两极感应电荷产生电流信号构成P区是可与化合物形成低肖特基势垒的金层N区是特定元素扩散制备的重掺杂区，形成高势垒防止空穴注入II区上可得到一大的均匀电场GaAs核辐射探测器反向特性中的击穿电压与探测器的厚度有关，反向击穿电压随探测器的厚度增加而增加。不能批量生产，体积小，平均原子序数低(与Ge的相同)CdTe核辐射探测器具有较高的原子序数（Z=52,48）对X射线、?射线的阻止能力高，吸收能力强，本征探测效率高HgI2核辐射探测器晶体的禁带宽度大(2.14eV)匀质体，具有均匀的电场分布，有利于载流子输运；HgI2的平均原子序数高，对射线有很高的阻止本领，探测效率高；HgI2的电离效率高，有利于制备出性能优良的探测器。HgI2核辐射探测器HgI2中电子和空穴的迁移率在Am和Fe中被电极收集的效率不同选择负接触面作为入射面可以有效地收集空穴，提高电荷收集效率改善能量分辨率。应用核电站的监控长期