第2章 半导体三极管与基本放大电路1.pptVIP

2.2.1.2 绝缘栅场效应管 对耦合电路要求： §2.8 差动放大电路 2.8.0 直接耦合电路的特殊问题 2.8.1 差动放大电路基本原理 2.8.2 双电源长尾式差放 恒流源式差放电路 2.8.4 差放电路的几种接法 2.2 场效应管及其放大电路 2.2.1 绝缘栅场效应管 2. 耗尽型绝缘栅场效应管 2. 耗尽型绝缘栅场效应管 2. 耗尽型绝缘栅场效应管 耗尽型 3. 场效应管的主要参数 场效应管与晶体管的比较 2.3 场效应管放大电路 2.3.1 场效应管放大电路 1.自给偏压式偏置电路 二、 动态分析 (2) 动态分析 EG P型硅衬底 N+ N+ G S D + – UGS ED + – N型导电沟道 当UGS ? UGS(th）后，场效应管才形成导电沟道，开始导通，若漏–源之间加上一定的电压UDS，则有漏极电流ID产生。在一定的UDS下漏极电流ID的大小与栅源电压UGS有关。所以，场效应管是一种电压控制电流的器件。 在一定的漏–源电压UDS下，使管子由不导通变为导通的临界栅源电压称为开启电压UGS(th）。 (2) N沟道增强型管的工作原理 (3) 特性曲线 有导电沟道 转移特性曲线 无导电沟道 开启电压UGS(th） UDS UGS/ ID/mA UDS/V o UGS= 1V UGS= 2V UGS= 3V UGS= 4V 漏极特性曲线 恒流区 可变电阻区 截止区 N型衬底 P+ P+ G S D 符号： 结构 (4) P沟道增强型 SiO2绝缘层 加电压才形成 P型导电沟道 增强型场效应管只有当UGS ? UGS(th）时才形成导电沟道。 G S D 符号： 如果MOS管在制造时导电沟道就已形成，称为耗尽型场效应管。 (1) N沟道耗尽型管 SiO2绝缘层中 掺有正离子 予埋了N型 导电沟道 由于耗尽型场效应管预埋了导电沟道，所以在UGS= 0时，若漏–源之间加上一定的电压UDS，也会有漏极电流 ID 产生。 当UGS 0时，使导电沟道变宽， ID 增大； 当UGS 0时，使导电沟道变窄， ID 减小； UGS负值愈高，沟道愈窄， ID就愈小。 当UGS达到一定负值时，N型导电沟道消失， ID= 0，称为场效应管处于夹断状态（即截止）。这时的UGS称为夹断电压，用UGS(off）表示。 这时的漏极电流用 IDSS表示，称为饱和漏极电流。 正负电压同时输出电路 二 、输出正负电压的电路 W78XX CI UI + _ UO 1 3 2 + _ CI W79XX 1 3 CO CO 2 UO CO W78XX CI UI + _ + _ UO 1 3 2 UXX UZ R DZ UXX: 为W78XX固定输出电压 UO=UXX+UZ 三 、提高输出电压的电路 运算放大器作为电压跟随器使用, 它的电源就借助于稳压器的输入直流电压。由于运放的输入阻抗很高 ,输出阻抗很低，可以克服稳压器输出电流变化的影响。 四、 输出电压可调式电路 用三端稳压器也可以实现输出电压可调，下图是用W7805组成的7－30V可调式稳压电源。 W7805 1 3 2 R1 CI CO UI 7 6 2 3 4 UO R2 F007 0.33? 33V 10K 0.1μ ? (UXX=5V) 同时消除了(IO·R2)一项，稳压器输出用下式表示。 例1： 扩音系统 电 压 放 大 功 率 放 大 信 号 提 取 执行机构 一、 功率放大器的作用：做放大电路的输出级，以驱动 执行机构。如使扬声器发声、继电器动作、 仪表指针偏转等。 §2.10功率放大电