芯片级三维集成,.pdfVIP

第21卷 第2—3期 混合微电子技术 V01．2l No．2—3 2010年7月 HybridMicroelectronicsTechnology Ju1． 2010 芯片级三维集成 ，前景光明 陈海英 (华东微电子技术研究所，合肥 230022) 摘 要： 本文围绕 目前电子封装业正在兴起的硅基芯片级三维集成技术展开论述。分别介绍了其 发展背景和关键的rrSV互连技术，并且引用了2009年 “三维系统集成和封装”会议上业界权威专家的 评语，最后得出结论 “芯片级三维集成技术有着很好的发展前景和市场潜力”。 关键词： 三维集成，TSV，SoC，封装 中图分类号：TN305．94 文献标识码：A 文章编号：AH00—240(2010)02、03—111一O6 BrightFutureforChip—level3D Integration CHEN Hai——ying (EastChinaResearchInstituteofMicroelectronicsTechnology，Hefei230022) Abstract：Thispapermainlydiscussesontheevolvingthree—dimensionalintegrationtechnoloyg ofsilicon—basedchip— levelelectronics．Itintroducesthedevelopingbackrgoundofthree—dimensionalintergationanditskeyinterconnectsolution V (through—silicon—via)．Anditcitesmanycommentsoftheprofessionalauthoritiesfrom20093DSystemsIntergationand PackagingConference．Fianally，thispaperreachestheconclusion “Chip—level3Dintergationhasabrightfutureandgarantees abigmarketpotential”． KeyWords：3D intergation，TSV，SoC，package 一 概念就是三维技术。”对此，业界达成共识，三 1 引言 维技术将与摩尔定律的进一步发展交会 ，正成为 自集成电路发明以来，芯片 已无可辩驳地成 电子界的主流技术。 为电子 电路集成的最终形式。从此，电子电路集 2 三维技术概述 成度增加的速度就按照摩尔定律的预测稳步前 进。摩尔定律的预测在未来若干年依然有效的观 z方向三维技术的诞生和发展 已经有一段时 点 目前仍被普遍接受。然而，一个同样被广泛认 间了，例如堆叠封装 (Package—on—Package)技 同的观点是，物理定律将使摩尔定律最初描述的 术、堆叠芯片技术、芯片埋置技术及圆片级封装技 发展趋势停止。在这种情况下，电子 电路技术和 术等等。三维封装技术广义上可以分为芯片堆叠 电路设计的概念将进入一个新的发展阶段，互连 和封装堆叠两种类型，可以将芯片或封装垂直叠 线将在重要性和价值方面都得到提升。在被称作 加，可以把更多的器件集成到更小的体积内。芯 “超级摩尔定律”的新兴模式下，无论物理上还是 片堆叠技术，顾名思义，就是将芯片堆叠在一起， 使用上，在 Z轴方向进行组装都将变得越来越重