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载流子基础 C.A. Ross,麻省理工大学,材料科学与工程系
3.15
载流子基础
C.A. Ross，麻省理工大学，材料科学与工程系
参考文献： Pierret ，第1-2 章
电子和空穴的电荷：e=1.6×10-19C
载流子有效质量：m* ，静止质量m0
F=-eE=m0dv/dt 在真空中
F=-eE=m *dv/dt 在固体中
* *
在300K 时的Si 中，m /m =1.18, m /m =0.81
n 0 h 0
本征特性
10 -3
在300K 时的Si 中，n=p=10 cm
N ＝5×1022 原子/cm3
非本征特性
施主元素－第V 族
受主元素－第III 族
IIIB IVB VB VIB
B C N O
Al Si P S
Ga Ge As Se
In Sn Sb Te
Tl Pb Bi Po
能带图：EC ＝导带边，EV ＝价带边
能隙：硅 1.12eV
金刚石 5.4eV
二氧化硅 5eV
硅中的杂质能级，单位为meV ，（当T ＝300K 时，kT ＝26meV ）
P 45 B 45
1
As 54 Al 67
Ga 72
载流子的分布（本征）
g(E)dE ＝在(E, E+dE)的能量区间的载流子能态密度cm-3 ，单位为：数目/eVcm-3
*
* 2mn (E −Ec )
g E dE m
c ( ) n 2 3
π h
*
2m (E −E )
g E dE m* p v
v ( ) p 2 3
π h
在这些状态中，电子的分布满足费米函数
1
( )
f E
1+e(E −Ef )/ kT
因此，在(E, E+dE)的能量区间的电子总数为f(E)g(E)d(E) 。在掺杂半导体中，费米能级
Ef 在能隙中的位置决定了是电子多还是空穴多。
总的电子数：可以通过对f(E)g(E)d(E) 积分求得
n n exp (E =−E )/ kT
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