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沈阳单片机开发网——帮您精确掌握电子器件的使用细节 RF电路中LDO电源抑制比和噪声的选择 摘 要： 本文讨论了 LDO 的特点以及 RF 电路对LDO 的电源抑制比和噪声的选择。 关键词： 低压差线性稳压器；电源抑制比；噪声 引言 便携产品电源设计需要系统级思维，在开发由电池供电的设备时，诸如手机、MP3、PDA、 PMP、DSC 等低功耗产品，如果电源系统设计不合理，将影响到整个系统的架构、产品的特 性组合、元件的选择、软件的设计和功率分配。同样，在系统设计中，也要从节省电池能量 的角度出发多加考虑。带有使能控制的低压差线性稳压器(LDO)是不错的选择。 1、射频电路的电源要求 大多数蜂窝电话基带芯片组射频电路需要三组电源：以满足数字电路、模拟电路和外设 接口电路的需要。基带处理器的数字电路供电电压的典型值为 1.8V 至2.6V，一般情况下， Li 离子电池电压降至 3.2V-3.3V 时电话将被关闭，LDO 至少有500至 600mV的压差，对压差 要求不高。另外，数字电路本身对 LDO 的输出噪声和 PSRR(电源抑制比)的要求也不高，只 要求在轻载条件下具有极低的静态电流。 基带处理器内部模拟电路供电电压典型值是 2.4V 至 3.0V，压差在 200mV 至 600mV。要 求 LDO 具有较高的低频(GSM 电话为217Hz)纹波抑制能力，消除由 RF 功率放大器产生的电池 电压纹波，同样需要较低的静态电流指标。 RF 电路的接收和发送两部分的供电电压典型值为 2.6V 至 3.0V，其中低噪声放大器 (LNA)、混频器、锁相环(PLL)、压控振荡器(VCO)和中频(IF)电路需要低噪声、高 PSRR 的 LDO。实际应用中，VCO、PLL 电路的性能直接影响射频电路指标，如发射频谱的纯度、接收 器的选择性、模拟收发器的噪声、数字电路的相位误差等。噪声会改变振荡器的相频和幅频 特性，同时振荡器环路也会进一步放大噪声，可能对载波产生调制。 2、 LDO 的噪声和电源抑制比 LDO 是一种微功耗的低压差线性稳压器，它具有极低的自有噪声和较高的电源抑制比。 线性稳压器的框图如图 1 所示。 图 1 线性稳压器框图 1 沈阳单片机开发网——帮您精确掌握电子器件的使用细节 PSRR 是反映输出和输入频率相同的条件下，LDO输出对输入纹波抑制能力的交流参数。它和 噪声不同，噪声通常是指在 10Hz 至100kHz 频率范围内的干扰。PSRR(dB)的表达式如下： PSRR=20 log(△Vin/△Vout) (1) 图 2 为 SGM2007 在 CBP=0.01mF, ILOAD=50mA，COUT=1mF，f=10KHz 时的输出和输入的电压 变化曲线。 由式(1)求得PSRR=20 log(△Vin/△Vout)=60(dB)，当输入变化 1V 时，输出变化 1mV，可见 LDO 纹波抑制能力还是很强的。 图 2 线性稳压器输入和输出变化 LDO 的输出噪声受其内部设计和外部旁路、补偿电路的影响。图 1 所示，导致 LDO输出噪声 的主要来源是基准源，由基准产生的噪声在输出端被放大。输出噪声 Vn 的表达式如下： Vn=(R1+R2)/R2×Vref (2) 基准源旁路电容 CBP 可影响基准噪声，增大旁路电容能够使基准噪声降低。建议使用陶瓷电 容的典型值为 470pF 到 0.01mF 。旁路电容会对 LDO 输出电压上升的速度产生影响，旁路 电容值越大，输出电压上升速率越慢，在使用时要注意。 影响 LDO 输出噪声的其它因素还有：LDO 内部极点、零点和输出极点及负载的大小。增 大输出电容的容量或减轻输出负载有利于降低高频输出噪声。图 3 为旁路电容 CBP 对 SGM2007 输出噪声的影响。