材料制备课件第二章 节 晶体缺陷.pptVIP

晶体缺陷 主讲人：李勤涛 晶体中的缺陷概论 晶体缺陷：即使在每个晶粒的内部，也并不完全象晶体学中论述的(理想晶体)那样，原子完全呈现周期性的规则重复的排列。 实际晶体中原子排列与理想晶体的差别称为晶体缺陷。 晶体中的缺陷的数量相当大，但因原子的数量很多，在晶体中占有的比例还是很少，材料总体具有晶体的相关性能特点，而缺陷的数量将给材料的性能带来巨大的影响。 晶体中的缺陷概论 晶体缺陷按范围分类： 点缺陷 在三维空间各方向上尺寸都很小，在原子尺寸大小的晶体缺陷。 线缺陷 在三维空间的一个方向上的尺寸很大(晶粒数量级)，另外两个方向上的尺寸很小(原子尺寸大小)的晶体缺陷。其具体形式就是晶体中的位错Dislocation 面缺陷 在三维空间的两个方向上的尺寸很大(晶粒数量级)，另外一个方向上的尺寸很小(原子尺寸大小)的晶体缺陷。 第一节 点缺陷 点缺陷：在三维空间各方向上尺寸都很小，在原子尺寸大小的晶体缺陷。 一、点缺陷的类型 ： 空位 在晶格结点位置应有原子的地方空缺，这种缺陷称为“空位”。 间隙原子 在晶格非结点位置，往往是晶格的间隙，出现了多余的原子。它们可能是同类原子，也可能是异类原子。 异类原子 在一种类型的原子组成的晶格中，不同种类的原子替换原有的原子占有其应有的位置。 二、点缺陷的产生 无论那种点缺陷的存在，都会使其附近的原子稍微偏离原结点位置才能平衡，即造成小区域的晶格畸变。 1。 平衡点缺陷及其浓度 空位和间隙原子是由热运动 产生的。 缺陷形成能：设一个缺陷带来的内能的增加值，它的意义也相当于形成一个缺陷所需要的能量(u)，即缺陷形成能。 （内能增加量 ΔU＝nu） 在平衡的点缺陷浓度下，体系的自由能最低 Δ A＝ ΔU－T ΔS 2。过饱和点缺陷的产生 高温淬火、辐照、冷加工等 一、位错的原子模型 若将上半部分向上移动一个原子间距，之间插入半个原子面，再按原子的结合方式连接起来，得到和(b)类似排列方式(转90度)，这也是刃型位错。 一、位错的原子模型 若将晶体的上半部分向后移动一个原子间距，再按原子的结合方式连接起来(c)，同样除分界线附近的一管形区域例外，其他部分基本也都是完好的晶体。而在分界线的区域形成一螺旋面，这就是螺型位错。 一、位错的原子模型 位错的形式 ： 若将上半部分向上移动一个原子间距，之间插入半个原子面，再按原子的结合方式连接起来，得到和(b)类似排列方式(转90度)，这也是刃型位错。 二、柏氏矢量 确定方法： 首先在原子排列基本正常区域作一个包含位错的回路，也称为柏氏回路，这个回路包含了位错发生的畸变。然后将同样大小的回路置于理想晶体中，回路当然不可能封闭，需要一个额外的矢量连接才能封闭，这个矢量就称为该位错的柏氏(Burgers)矢量。 说明：这是一个并不十分准确的定义方法。柏氏矢量的方向与位错线方向的定义有关，应该首先定义位错线的方向，再依据位错线的方向来定柏氏回路的方向，再确定柏氏矢量的方向。在专门的位错理论中还会纠正。 二、柏氏矢量 柏氏矢量与位错类型的关系： 刃型位错 柏氏矢量与位错线相互垂直。(依方向关系可分正刃和负刃型位错) 螺型位错 柏氏矢量与位错线相互平行。(依方向关系可分左螺和右螺型位错) 混合位错 柏氏矢量与位错线的夹角非0或90度。 三、位错的运动 滑移面：过位错线并和柏氏矢量平行的平面(晶面)是该位错的滑移面。 位错的滑移运动：位错在滑移面上的运动。 三、位错的运动 刃型位错的滑移运动：在图示的晶体上施加一切应力，当应力足够大时，有使晶体上部向有发生移动的趋势。假如晶体中有一刃型位错，显然位错在晶体中发生移动比整个晶体移动要容易。因此，①位错的运动在外加切应力的作用下发生；②位错移动的方向和位错线垂直；③运动位错扫过的区域晶体的两部分发生了柏氏矢量大小的相对运动(滑移)；④位错移出晶体表面将在晶体的表面上产生柏氏矢量大小的台阶。 三、位错的运动 螺型位错的滑移：在图示的晶体上施加一切应力，当应力足够大时，有使晶体的左右部分发生上下移动的趋势。假如晶体中有一螺型位错，显然位错在晶体中向后发生移动，移动过的区间右边晶体向下移动一柏氏矢量。因此，①螺位错也是在外加切应力的作用下发生运动；②位错移动的方向总是和位错线垂直；③运动位错扫过的区域晶体的两部分发生了柏氏矢量大小的相对运动(滑移)；④位错移过部分在表面留下部分台阶，全部移出晶体的表面上产生柏氏矢量大小的完整台阶。这四点同刃型位错。 三、位错的运动 刃、螺型位错滑移的比较： ①