几种半导体和稀土纳米材料的制备与光学性质分析-preparation and optical properties analysis of several semiconductor and rare earth nanomaterials.docx

摘要纳米材料由于小尺寸效应、量子限域效应以及表面效应等引起一些新的物理、化学性质，受到广泛的关注和研究。ZnO、ZnSe、CdS是重要的II-VI族直接带隙化合物半导体材料，具有较大的禁带宽度和激子束缚能。它们在半导体激光器、太阳能电池、发光二极管、场效应晶体管、光电探测器件、气体传感器、光开关等光电子纳米器件方面有很大的应用前景。Gd2O3:Eu3+材料由于具有较高的发光量子效率和较好的光谱特性，是一种优质的红色荧光粉，可广泛用于高清晰度电视、投影电视、平板显示、绿色照明等领域，因此得到了广泛的关注。本论文利用热蒸发法制备出高质量ZnO、ZnSe、CdS纳米材料，并对ZnO、ZnSe、CdS纳米材料的晶体结构、形貌、生长机理和光学性质进行了研究。用燃烧合成法成功的制备了Gd2O3:Eu3+纳米晶，对其光学性质进行了研究。具体研究内容如下：(1)采用简单的热蒸发方法，成功的制备出ZnO四足和多足纳米结构。所制备的ZnO纳米结构纯度高，为六方纤锌矿结构。ZnO四足和多足纳米结构的足部沿[0001]方向生长。讨论了它们的生长过程。ZnO纳米结构的室温光致发光(PL)谱中出现一个较弱的紫外发射峰和一个较强的绿色发射峰，分别位于383nm和495nm处。其中紫外发射峰来源于近带边发射，绿色发射峰可能是表面缺陷和氧空位共同引起的。通过热蒸发方法，还制备出ZnO纳米棒和星状ZnO纳米结构，并对它们的光学性质进行了研究。(2)运用氢气辅助热蒸发方法制备出大量结晶良好的周期性孪晶结构的ZnSe纳米线。结构分析表明ZnSe纳米线为立方相结构并沿[111]方向生长。室温PL光谱中，在462nm处出现蓝色的近带边发射峰，在500至680nm间出现缺陷相关的发射带。在488nm激光激发下，首次观察到ZnSe纳米线的反斯托克斯(anti-Stokes)发光。用近场光学显微系统观察到ZnSe纳米线的Fabry–Pérot谐振现象。对ZnSe纳米线的光波导性质和表面光伏性质也进行了研究。(3)利用氢气辅助的一步热蒸发法，制备出大量的纤锌矿结构的CdS纳米带和纳米锯(nanosaw)。研究了沉积温度对CdS纳米结构形貌的影响。应用气–液–固(VLS)机理结合气–固(VS)生长机理来解释了CdS纳米结构的形成过程。CdS纳米结构在488nm激光的激发下，发射出波长为512nm的绿色发射峰，对应于CdS的带–带发射。研究了CdS纳米结构的光波导性质，其中CdS纳米带显示出很好的光波导性质。(4)用燃烧合成法成功的制备了Gd2O3:Eu3+纳米晶。在甘氨酸–硝酸盐体系中，通过调节甘氨酸与稀土离子的比例得到不同相结构的Gd2O3:Eu3+纳米晶，随着甘氨酸比例的增加，纳米晶逐渐从立方相向单斜相转变。研究了甘氨酸和退火温度对尺寸和发光性能的影响。在柠檬酸–硝酸盐体系中成功地制备出纯立方相的Gd2O3:Eu3+纳米晶。所制备的立方相Gd2O3:Eu3+纳米晶，主发射峰均出现在612nm处，对应于5D0→7F2跃迁。关键词：纳米材料;半导体;稀土;光致发光;光波导;扫描近场光学显微系统;氧化锌;硒化锌;硫化镉AbstractDuetosmallsizeeffect,quantumconfinementeffectandsurfaceeffect,nanomaterialswithuniquephysicalandchemicalpropertieshavestimulatedgreatinterestandhavebeeninvestigatedextensively.ZnO,ZnSeandCdS,havingwidebandgapandlargeexcitonbindingenergy,areimportantII–IVgroupdirectbandsemiconductors.Thesesemiconductorshavebeenwidelyappliedinmanyfields,includingnanolasers,solarcell,light-emittingdiodes,field-effecttransistors,photodetectors,gassensors,opticalswitches,etc.Thegadoliniumoxidedopedwitheuropium(Gd2O3:Eu3+)possessexcellentluminescentcharacteristicsandhighthermalstability,whichareusefulinluminescentlightingandoptoelectronicdevices,includingfluorescentlamps,highdefinitiontelevisions,plas