h 2o分子吸附在nio100表面的分析-analysis of h 2o molecule adsorbed on nio 100 surface.docxVIP

湘潭大学学位论文原创性声明本人郑重声明：所呈交的论文是本人在导师的指导下独立进行研究所取得的 研究成果。除了文中特别加以标注引用的内容外，本论文不包含任何其他个人或 集体已经发表或撰写的成果作品。对本文的研究做出重要贡献的个人和集体，均 已在文中以明确方式标明。本人完全意识到本声明的法律后果由本人承担。作者签名：日期：年月日学位论文版权使用授权书本学位论文作者完全了解学校有关保留、使用学位论文的规定，同意学校保 留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子版，允许论文被查阅和借 阅。本人授权湘潭大学可以将本学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行 检索，可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存和汇编本学位论文。涉密论文按学校规定处理。作者签名：日期：年月日导师签名：日期：年月日第 1 章：绪论1.1 表面与薄膜科学概述表面科学是当代国际上最活跃的前沿学科之一，它以在原子或分子水平上研究表面 及界面上所发生的各种现象和过程为主要内容，广泛涉及物理学、化学、数学、生物学、 半导体科学、材料科学等基础和应用学科，在多个领域都有广泛的应用。从上个世纪 50 年代晶体管出现以来，固体电子学的发展在科学技术的各个领域里 都产生了极为深远的影响，以致改变了人们的生活方式。固体电子学的不断发展使得人 们对微电子器件在性能、结构和尺寸等方面提出了越来越高的要求。早在上个世纪 40 年代，真空器件的尺寸还是几 cm 大小，到了 60 年代固体器件的尺寸为 mm 大小，80 年代的超大规模集成电路中的器件尺寸达到了 μm 量级。随着它的进一步发展及人们对 电子器件的更高要求，在 21 世纪的分子/电子器件将达到 nm 量级。现在，薄膜材料已 经成为信息科学技术中不可替代的重要组成部分。另一方面，在科学发展中人们逐渐的 认识到材料的表面性质决定了材料的许多性能，这样表面性质的提高将增强材料的整体 性能。在工业生产过程中各种材料，特别是在高速、高压、腐蚀介质存在等条件下工作 时，其破坏往往是从表面开始，如磨损、氧化等，以致导致零件的失效。而对器件材料 表面进行相应的改性后，可以增强其耐磨和抗氧化等能力，从而延长其使用寿命，最终 达到节约资源、能源和生产成本，提高劳动生产率、减少污染等目的。以多种方法制备 的优于本体材料性能的表面功能薄膜，仅为结构尺寸的几百分之一到几十分之一，却能 使零件具有比本体材料更高的耐磨性、抗腐蚀性和耐高温等能力。薄膜材料科学与技术 由于以小的生产成本换取大的经济效益为目的而逐渐发展起来。现代科学研究表明，表面的性质往往和体相有着巨大的差异，常呈现出许多特殊的 物理化学性质，究其根本原因在于表面原子原先在体相中的对称性和所处晶体场环境的 被破坏。一个典型的例子是赖以支撑现代半导体工业的硅单晶，其体相是绝缘的，而它 的自然解理面－(111)面上的硅原子层则变成半导体或金属性质的。表面还是材料与真空 (或气体)的界面，它的结构不同于体内，原子键在表面处断裂，原子配位数比体内的少， 为了使体系保持能量最低状态，表面的原子结构可能发生某些变化。比如，表面原子的 弛豫，即原子沿表面法向的间距作相应变化；或者表面原子重构，即原子在表面相对距 离的变化而产生与体内周期性不同的超结构。按照宏观的热力学体系考虑，表面相和体 相的自由能不同，不同元素之间形成的平衡浓度有差别，出现固态不相溶的元素产生互 扩散现象，甚至可能出现衬底元素在表面的偏析。材料的许多重要物理、化学过程首先发生在表面和界面，研究表面和界面的显微结 构及其与外部环境的相互作用，对控制材料表面的物理化学过程、改变材料的表面性能无疑是至关重要的。60 年代初以来，伴随着超高真空(Ultra-High Vacuum，UHV)技术及各种复杂的表面分析技术的发展，材料表面科学的研究内容得到了极大的丰富，并逐步 发展成为多学科相互交叉、理论与实验相结合的一门新学科。早在 18 世纪，人们就开始了表面的探索性研究。例如催化、电化学以及表面相的热 力学研究等等。上个世纪中叶，半导体工业和真空技术的迅速发展，极大地促进了现代 表面科学的进步。20 世纪 60 年代以后，各种表面分析技术不断涌现。其中，尤以 Binnig 和 Rohrer 在 20 世纪 80 年代发明扫描隧道显微镜(Scanning Tunneling Microscopy，STM)[1-4] 以及后来 Binnig 等人研制的原子力显微镜(Atomic Force Microscope，AFM)，将表面分 析技术的开发推上巅峰。现在一般将 STM 和 AFM 合称为扫描探针显微镜(Scanning Probe Microscopy，SPM)。其他如高分辨电子能量损失谱(HREELS)[5，6]、低能电子衍射 谱(LEED)[6