微机原理及应用第4章 半导体存储器.ppt

第4章 半导体存储器 ? 第一节 存储器概述 ? 第二节 随机存取存储器RAM ? 第三节 只读存储器ROM ? 第四节 存储器与CPU的连接与扩展 §5-1 存储器概述 存储器是计算机硬件系统中必不可少的三大部件之一，计算机程序、原始数据及中间结果等都存放在存储器中。 存储器按照材料可以分为磁性存储器、光学存储器和半导体存储器。微机中的软盘和硬盘一般为磁性存储器，CD-ROM为光学存储器，而主板上的存储器条或芯片为半导体存储器。 光学存储器容量巨大，但改写不便，适于长久保存资料；磁性存储器容量大，读写方便，即使断电亦可长期保存，用于存放用户程序和记录数据；半导体存储器体积小，读写速度快，主要用于存放当前运行程序和数据。 一、存储器的分类 按照存储器的材质划分： 光学存储器 磁性存储器 半导体存储器 按照存储器的位置划分： CACHE存储器——与CPU直接进行高速数据交换的缓冲存储器，缓解高速CPU与内存在速度与容量方面的匹配矛盾，一般为半导体存储器； 内存——内部存储器，主板上的存储器，一般为半导体存储器； 外存——外部存储器，主板外附加的存储器，一般为磁存储器和光存储器。 按照存储器的作用划分： 主存——主要存储器，实指内存； 辅存——辅助存储器，实指外存。 §5-2 RAM 存储器 二、SRAM的引脚信号 数据总线信号，字节型存储器为D0~D7； 地址总线信号，通常为A0~An，地址线的根数反映了存储容量大小； 读写控制信号： 片选信号CS (Chip Select)或芯片允许信号CE (Chip Enable)，当存储器模块由多个RAM芯片组成时，CS (或CE)用来选择应访问的存储器芯片； 输出允许信号 (Output Enable)； 写允许信号WE (Write Enable) 或读/写控制信号R/W (Read/Write) 。 存储器芯片通过三态缓冲器输出， 从而自动满足总线接口“输出要三态”的要求，避免了数据总线的多片争用。 三、SRAM的读写时序——以6264为例 地址译码器电路设计用芯片的选择： ①利用现成的译码器芯片，如常规逻辑芯片74LS00、74LS02、74LS30、74 LS138等； ②利用数字比较器芯片，如74LS688等； ③利用ROM做译码器； ④利用PLD或CPLD。 设计实践 设计一块用于IBM-PC机（8088CPU）的内存扩展卡，扩充容量为64KB，采用SRAM6264芯片，存储地址为B0000H ~ BFFFFH，试设计电路原理图。 五、动态存储器DRAM简介 ??? 与SRAM相似，DRAM存储器器件的基本存储电路也是按行和列组成存储矩阵的，区别是基本存储电路不同。 与SRAM中信息存储的方式不同，DRAM是利用MOS管栅源间的极间电容来存储信息的。当电容充有电荷时，称存储的信息为1，电容上没有电荷时，称存储的信息为0。 由于电容上存储的电荷不能长时间保存，总会泄漏，因此必须定时给电容补充电荷，这个过程称为“刷新”或“再生”。 由于电容上存储的电荷不能长时间保存，总会泄漏，因此必须定时给电容补充电荷，这个过程称为“刷新”或“再生”。 DRAM具有基本存储电路简单、集成度高、体积小等优点，在通用微机系统中广泛应用。但是，DRAM的最大缺点是需要定时刷新，并为实现定时刷新要配备复杂的外围电路，因而在单片机等小系统中及少使用。 为了简化DRAM的使用，目前出现了集成动态存储器 iRAM，它将DRAM及其刷新电路集成到一个芯片中，使得DRAM的使用可以象SRAM一样简单。 §5-3 只读存储器ROM ROM存储器的分类较多，但常用的半导体ROM存储器是EPROM。 EPROM存储器的使用分为三步： 擦除——用紫外线照射15分钟左右即可，擦除干净后，每个位单元的内容为‘1’，或每个字节单元的内容为‘FFH’。 固化（或编程）——用专用的编程工具将程序的机器代码写入到EPROM芯片中去，写入时间通常为几秒钟到几十秒钟。 工作——将EPROM芯片插入目标系统板，通电运行，此时，EPROM中内容只能被CPU读出。 EPROM的基本存储电路由一个浮置栅MOS管T2 （FAMOS）和一个普通MOS 管串联组成，如图所示。T2为基本存储器件。 浮置栅浮置在绝缘的SiO2层中与周围无电的接触。浮置栅无电荷时T2截止，信息为‘1’；T2充有电荷时，T2导通，信息为‘0’。 二、EPROM的引脚信号与连接 数据总线信号，字节型存储器为D0~D7； 地址总线信号，通