薄膜阻容网络集成工艺分析-analysis of film resistance-capacitance network integration process.docxVIP

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2018-05-28 发布于上海
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薄膜阻容网络集成工艺分析-analysis of film resistance-capacitance network integration process.docx

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薄膜阻容网络集成工艺分析-analysis of film resistance-capacitance network integration process

摘要摘要随着电子系统向体积更小、速度更快、功能更多、性能更强的方向发展，电子元器件越来越朝着微型化、薄膜化、集成化、多功能化的方向发展。电子元器件中有源器件已经高度集成化，而无源元件很长时间以来都是以分立元件的形式被使用，因此，电子系统的小型化主要依赖于无源元件的薄膜化以及高度集成化。本论文对两类典型无源元件——电阻和电容的薄膜化集成工艺进行了研究，主要包括：氮化硅（SiNx）薄膜 MIM 电容器的制备工艺与性能研究；氮化钽（TaN）电阻薄膜制备与图形化工艺的改进与优化；薄膜 RC 滤波器网络的制备工艺与性能研究。主要结果如下：（1）采用真空电阻蒸发方法在被釉氧化铝陶瓷基片上制备电极薄膜，PECVD 沉积 SiNx 介质薄膜，并对各薄膜进行光刻图形化，制成 Au/NiCr/SiNx/Au/NiCr 结构的 MIM 电容器。研究了电容器的介电性能、介温性能和 I-V 特性等电学性能。结果表明：所得 MIM 电容器具有较好的电压稳定性、较低的损耗，1MHz 频率下 tan?为 1.92‰，在-55～150℃，TCC 为 258ppm/℃，MIM 的 I-V 特性曲线显示了较好的对称性、低的漏电流密度和高的耐压。（2）采用射频反应磁控溅射法制备 TaN 电阻薄膜，研究了溅射功率密度对TaN 薄膜电阻器 TCR 的影响，在 0.64w/cm2 时制备出了 50Ω/□、较低 TCR（-46ppm/℃）的 TaN 薄膜电阻。通过对 TaN 电阻薄膜图形化工艺的研究，获得了较为优化的 TaN 薄膜图形化工艺流程。（3）通过对 TaN 电阻与 SiNx 电容的薄膜集成工艺进行整合，成功实现了阻容网络的薄膜集成，制备出了薄膜 RC 滤波器网络，为无源元件的薄膜化集成应用奠定了技术基础。采用矢量网络分析仪，测得薄膜 RC 滤波器样品的 3dB 带宽为 90MHz，频率低于 200MHz 时，薄膜 RC 滤波器完全可以等效为典型的 RC 低通滤波电路，在 450MHz 的测试频率范围内，具有较为理想的低通滤波性能。关键词：氮化硅薄膜，MIM 电容器，氮化钽薄膜，RC 滤波器，薄膜集成ABSTRACTABSTRACTWith electronic systems developing towards smaller, higher-speed, more functions and more capable, the advancement of electronic components is heading more and more in the directions of miniaturization, thin-film based, integration and multifunctional. In electronic components, the active devices have become highly integration, however the passive components are all long time used in the form of discrete components. Therefore, the miniaturization of electronic systems depends mainly on thin-film based and highly integration of the passive components. In this paper, thin film integrated processes of two kind of typical passive components, resistors and capacitors, have been studied, including study on fabrication and properties of silicon nitride (SiNx) thin films MIM capacitors, fabricating of tantalum nitride (TaN) thin films resistors, improvement and optimization of patterning process of TaN thin films, study on fabrication and properties of thin films RC filters. The following results are obtained:The Au/NiCr/SiNx/Au/NiCr structure MIM capacitors wer