ARM开发软件SDT使用方法.docVIP

ARM开发软件使用教程 说明：本文是ARM开发的一些经验总结，以EV44B01.2开发板为例，给出入门上手的最基础知识。 安装SDT2.51 点击SDT2.51安装程序中的setup.exe，出现如下安装界面： 一路点击next继续，一般默认设置就行了，不需作任何修改，最后完成安装，假设安装在了C:\ARM251下面； 启动SDT2.51 安装完毕，点击程序组中的ARM Project Manager启动主程序： 之后出现主程序界面如下： 利用模板创建自己的项目 很多初学者会遇到这样一个问题：自己写了程序，编译也通过了，结果怎么也生成不了二进制格式的目标代码（*.bin）。如何生成目标代码需要参考SDT2.51安装文件夹pdf中的userguide.pdf，在它的392页有详细说明，教你怎么Converting ARM linker ELF output to binary ROM formats。 为了减少大家的麻烦，这里提供一个模板Project，你打开这个Project，然后点击菜单File下的Save As Template： 然后在弹出的窗口中随意选择一个目录下，新建一个自己的文件夹，随便取一个Project名称，确认即可在主程序上出现新Project界面。现在可以在刚才建立的文件夹下面编辑代码，包括汇编代码和C程序代码。注意汇编代码必不可少，它是用来进行系统初始化和C程序入口的，这些范例代码可以在三星网站去下载，网上也有很多相关资源。 添加自己的源码 点击菜单Project下的Add File To Project……，在弹出的窗口中，浏览自己的Project文件夹下面的程序代码，将代码添加到创建的项目。这时依次点击rom、debug、Sources前面的十字盒，就会看到自己刚才添加成功的代码，双击任何一个代码文件就可以打开它进行编辑： 修改SDT2.51设置以生成Flash代码 过来刚才一关，还有一只拦路虎，很多朋友是在这里没设置对，导致屡屡失败，信心大失！SDT2.51代码生成是有一个代码定位的，以我们提供的EV44B01.2开发板为例，启动Flash片选引脚是接在nGCS0的，它的地址空间是从0X0000000开始的。如果你要将代码烧写到这片Flash，那么必须正确设置SDT2.51，使它将目标代码定位在0X0000000，设置过程如下： 先单击一下主程序窗口ROM下的Debug，然后点击如下菜单中的set： 编译项目生成初始化目标代码（放在Flash中） 现在选择菜单build或者点击快捷图标就可以编译代码，点击Force build之后就生成了二进制目标代码（*.bin），这可以在项目文件夹下面找到。在主程序窗口下面的信息框可以看到编译的情况，包括警告和错误信息，最终代码生成的情况等等； ARM板硬件准备 下面以我们的EV44B01.2开发板为例，说明初次写目标代码到Flash中的准备工作。首先当然是开发板加电，电源指示灯亮了；内部一对一、一头公一头母的并口延长线分别连接PC机并行口和JTAG下载板，JTAG下载板通过扁平排线连接ARM板。 这里面要注意一个复位问题，S3C44B0X有两个复位引脚，其中nRESET是CPU复位引脚，nTRST是JTAG单元复位引脚，一般的S3C44B0X系统都有一个跳线，用短路块将两个复位端连在一起，这样一按复位按键，两个复位引脚都复位了。而JTAG下载板上面也有一个跳线，这个跳线是JTAG单元复位引脚。 在烧写Flash时，PC机会通过JTAG下载板上的那个跳线来复位ARM板的JTAG单元，所以应该用短路块将JTAG下载板上的跳线短路，而ARM板上的跳线（连接nRESET和nTRST）的则不应该短路； 如果你是自己设计ARM板，第一次烧写Flash，那么你可以检查一下系统：首先看看CPU的电压是否正常，主要芯片是否发烫？如果有怪味、冒烟可就要急刹车了！CPU的IO电压是3.3V，内核电压是2.5V。可以看看系统时钟输入的波形，32768晶体的一个引脚上应该能看到32768HZ的正弦波。如果是刚焊的新的Flash，那么一般Flash里面数据都是0Xff，用示波器可以看到数据线都是高电平，地址线上面有规则的方波信号。你一按复位按键，方波立马消失变成低电平。 将初始化目标代码写入Flash 准备妥当，现在可以烧写代码了！网上有一个叫Fluted.exe的程序，使用它就可以完成Flash烧写。这里面针对不同的CPU还需要不同的Bsd文件，不同的Flash芯片需要对Fcd文件进行相应的修改。S3C44B0X的BSD文件S3C44B0X.bsd可以在三星公司网站找到，适用于SST39VF160的fcd文件在网上搜索得到。 特别说明：这个烧写Flash的程序只能在Windows9