电工电路第八章修.pptVIP

稳压原理: ~ + - UO RL + C + - Ui Dz Iz IO I R 当电源波动或负载电流的变化引起 UO变化时 Uo? ? Uz ? ? Iz ? ? ? I ? = (Iz + Io) ? UR? = IR Uo ? = Ui – UR §11.4 稳压电路 第32页/共52页 一. 基本结构 B E C N N P 基极 发射极 集电极 NPN型 P N P 集电极 基极 发射极 B C E PNP型 §8.4 双极型晶体管 B E C B E C 第33页/共52页 B E C N N P 基极 发射极 集电极 基区：较薄，掺杂浓度低 集电区：面积较大 发射区：掺 杂浓度较高 发射区：向B区发射载流子 基区：控制载流子的传输 集电区：收集载流子 第34页/共52页 B E C N N P 基极 发射极 集电极 发射结(E结) 集电结(C结) 第35页/共52页 二 电流放大原理 B E C N N P EB RB Ec IE RC IC IB 可见:IE=IB+IC 只要ICIB,管子就有电流放大作用。（这就是为什么基区掺杂少而薄的目的所在） 第36页/共52页 B E C IB IE IC NPN型三极管 B E C IB IE IC PNP型三极管 第37页/共52页 1、输入特性 UCE ?1V IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 工作压降： 硅管UBE ?0.7V, 锗管UBE ?0.3V。 UCE=0V UCE =0.5V 死区电压，硅管0.5V，锗管0.2V。 三.特性曲线 IB = f (UBE) UCE =常数 第38页/共52页 饱和区 截止区 2、输出特性: IC = f (UCE) IB=常数 放 大 区 第39页/共52页 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 输出特性三个区域的特点: 发射结正偏，集电结反偏。 晶体管相当于通路 0UCEUCC, UCE=UCC - ICRC 放大区 放大状态 +UCC RC T RB UBB IC C E B IB IE 第40页/共52页 c).IC随IB的增减而增减,成正比关系(IB变化小,IC变化 大)即： IC=?IB , 且 ?IC = ? ?IB d).特性曲线间隔均匀,这个间隔反映了晶体管的β值. β≈常数(= ?IC /? IB ) IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 第41页/共52页 发射结正偏，集电结正偏。 即：UCE?UBE ， UCE ? 0.3V (C、E极间相当于短路） IC≈UCC/RC IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A (2) 饱和区→饱和状态 +UCC RC T RB UBB IC C E B IB IE 第42页/共52页 C结、E结均加反压. IB=0 ， IC=ICEO ?0 (近似于断开状态.) UCE=UCC ICEO是基极开路时（IB=0）的IC值，受温度的变化影响很大。 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A ICEO (3) 截止区→截止状态 +UCC RC T RB UBB IC C E B IB IE [注]：为使三极管可靠截止，通常给发射结加上反向电 压，即UBE≤0 第43页/共52页 四、主要参数 前面的电路中，三极管的发射极是输入输出的公共点，称为共射接法，相应地还有共基、共集接法。 共射直流电流放大倍数： 1. 电流放大倍数和 ? P223 例8.4.1 P237 8.4.2 +UCC RC T RB UBB IC C E B IB IE 交流电流放大倍数为： 第44页/共52页 例：UCE=6V时：IB = 40 ?A, IC =1.5 mA； IB = 60 ?A, IC =2.3 mA。 在以后的计算中，一般作近似处理：? = 第45页/共52页 2.集电极最大电流ICM 集电极电流IC上升会导致三极管的?值的下降，当?值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为ICM。 3.集-射极反向击穿电压 BU(BR)CEO: 基极开路时,加在集---射极之间的最大允许电压。超过这个数值时，三极管就会被击穿。 第46页/共52页 4.