电力电子器件概述xin.pptVIP

1-* 1.7.2 过电流保护 过电流——过载和短路两种情况 保护措施 负载 触发电路 开关电路 过电流 继电器 交流断路器 动作电流 整定值 短路器 电流检测 电子保护电路 快速熔断器 变流器 直流快速断路器 电流互感器 变压器 同时采用几种过电流保护措施，提高可靠性和合理性。 电子电路作为第一保护措施，快熔仅作为短路时的部分 区段的保护，直流快速断路器整定在电子电路动作之后实现保护，过电流继电器整定在过载时动作。 图1-37　过电流保护措施及配置位置 第96页/共107页 1-* 1.7.2 过电流保护 全保护：过载、短路均由快熔进行保护，适用于小功率装置或器件裕度较大的场合。 短路保护：快熔只在短路电流较大的区域起保护作用。 对重要的且易发生短路的晶闸管设备，或全控型器件，需采用电子电路进行过电流保护。 常在全控型器件的驱动电路中设置过电流保护环节，响应最快 。 快熔对器件的保护方式：全保护和短路保护两种 第97页/共107页 1-* 1.7.3 缓冲电路 关断缓冲电路（du/dt抑制电路）——吸收器件的关断过电压和换相过电压，抑制du/dt，减小关断损耗。 开通缓冲电路（di/dt抑制电路）——抑制器件开通时的电流过冲和di/dt，减小器件的开通损耗。 复合缓冲电路——关断缓冲电路和开通缓冲电路的结合。 按能量的去向分类法：耗能式缓冲电路和馈能式缓冲电路（无损吸收电路）。 通常将缓冲电路专指关断缓冲电路，将开通缓冲电路叫做di/dt抑制电路。 缓冲电路(Snubber Circuit) ： 又称吸收电路，抑制器件的内因过电压、du/dt、过电流和di/dt，减小器件的开关损耗。 第98页/共107页 1-* b) t u CE i C O d i d t 抑制电路 无 时 d i d t 抑制电路 有 时 有缓冲电路时 无缓冲电路时 u CE i C 1.7.3 缓冲电路 缓冲电路作用分析 无缓冲电路： 有缓冲电路： 图1-38　di/dt抑制电路和 充放电型RCD缓冲电路及波形 a) 电路 b) 波形 A D C B 无缓冲电路 有缓冲电路 u CE i C O 图1-39　关断时的负载线 第99页/共107页 1-* 1.7.3 缓冲电路 充放电型RCD缓冲电路，适用于中等容量的场合。 图1-38　di/dt抑制电路和 充放电型RCD缓冲电路及波形 a) 电路 其中RC缓冲电路主要用于小容量器件，而放电阻止型RCD缓冲电路用于中或大容量器件。 图1-40　另外两种常用的缓冲电路 RC吸收电路　 放电阻止型RCD吸收电路 第100页/共107页 1-* 1.8电力电子器件器件的串联和并联使用 1.8.1 晶闸管的串联 1.8.2 晶闸管的并联 第101页/共107页 1-* 1.8.1 晶闸管的串联 问题：理想串联希望器件分压相等，但因特性差异，使器件电压分配不均匀。 静态不均压：串联的器件流过的漏电流相同，但因静态伏安特性的分散性，各器件分压不等。 动态不均压：由于器件动态参数和特性的差异造成的不均压。 目的：当晶闸管额定电压小于要求时，可以串联。 第102页/共107页 1-* 1.8.1 晶闸管的串联 静态均压措施： 选用参数和特性尽量一致的器件。 采用电阻均压，Rp的阻值应比器件阻断时的正、反向电阻小得多。 b) a) R C R C VT 1 VT 2 R P R P I O U U T1 I R U T2 VT 1 VT 2 图1-41　晶闸管的串联 a)　伏安特性差异　b)　串联均压措施 动态均压措施： 选择动态参数和特性尽量一致的器件。 用RC并联支路作动态均压。 采用门极强脉冲触发可以显著减小器件开通时间的差异。 第103页/共107页 1-* 1.8.2 晶闸管的并联 问题：会分别因静态和动态特性参数的差异而电流分配不均匀。 ?均流措施： 挑选特性参数尽量一致的器件。 采用均流电抗器。 用门极强脉冲触发也有助于动态均流。 当需要同时串联和并联晶闸管时，通常采用先串后并的方法联接。 目的：多个器件并联来承担较大的电流 第104页/共107页 1-* 图1-42　电力电子器件分类“树” 本章小结 主要内容 全面介绍各种主要电力电子器件的基本结构、工作原理、基本特性和主要参数等。 集中讨论电力电子器件的驱动、保护和串、并联使用。 电力电子器件类型归纳 单极型：电力MOSFET和SIT 双极型：电力二极管、晶闸管、GTO、GTR和SITH 复合型：IGBT和MCT 分类：DATASHEET 第105页/共107页 1-* 本章小结 特点：输入阻抗高，所需驱动功率小，驱动电路简单，工作频率高。 电流驱动型：双极