电力电子器件概述1ppt1.pptVIP

1-* 1.5.5 功率模块与功率集成电路 20世纪80年代中后期开始，模块化趋势，将多个器件封装在一个模块中，称为功率模块。 可缩小装置体积，降低成本，提高可靠性。 对工作频率高的电路，可大大减小线路电感，从而简化对保护和缓冲电路的要求。 将器件与逻辑、控制、保护、传感、检测、自诊断等信息电子电路制作在同一芯片上，称为功率集成电路（Power Integrated Circuit——PIC）。 基本概念 第64页/共89页 1-* 1.5.5 功率模块与功率集成电路 高压集成电路（High Voltage IC——HVIC）一般指横向高压器件与逻辑或模拟控制电路的单片集成。 智能功率集成电路（Smart Power IC——SPIC）一般指纵向功率器件与逻辑或模拟控制电路的单片集成。 智能功率模块（Intelligent Power Module——IPM）则专指IGBT及其辅助器件与其保护和驱动电路的单片集成，也称智能IGBT（Intelligent IGBT）。 实际应用电路 第65页/共89页 1-* 1.5.5 功率模块与功率集成电路 功率集成电路的主要技术难点：高低压电路之间的绝缘问题以及温升和散热的处理。 以前功率集成电路的开发和研究主要在中小功率应用场合。 智能功率模块在一定程度上回避了上述两个难点,最近几年获得了迅速发展。 功率集成电路实现了电能和信息的集成，成为机电一体化的理想接口。 发展现状 第66页/共89页 1-* 全控电力电子器件参数比较 元件 名称 GTR GTO IGBT MOSFET SIT SITH MCT 控制方式 电流 电流 电压 电压 电压 电压 电压 常态 阻断 阻断 阻断 阻断 开通/阻断 开通/阻断 阻断 反向电压 650V 6500V 2500V 400V 400V 4500V 3000V 断态电压 1400V 9000V 2500V 1000V 1500V 4500V 1000V 正向电流 400A 3500A 450A 100A 200A 2200A 600A 浪涌电流 3IN 10IN 5IN 5IN 5IN 10IN 5IN 电流密度（A/cm2） 30 40 60 6 30 500 600 最大开关速度（KHZ） 50 10 100 10000 10000 100 1000 抗辐射 能力 差 很差 中 中 好 好 好 第67页/共89页 1-* 全控电力电子器件参数比较 元件 名称 GTR GTO IGBT MOSFET SIT SITH MCT 电路符号 du/dt 中 低 高 高 高 高 高 di/dt 中 低 高 高 高 中 高 通态压降 2.5V 2.2-2.5 3.0V 9.0V 7.0V 4.0V 1.0V 制造工艺 复杂 复杂 很复杂 很复杂 很复杂 很复杂 很复杂 缺点 二次击穿 擎柱效应 功率（KVA） 102 104 103 0.6*102 10 1.5*103 5*103 K G A G S D G S D 功率排序 SCRGTOSITHMCTIGBTGTRSITMOSFET 第68页/共89页 1-* 1.6 电力电子器件器件的驱动 1.6.1 电力电子器件驱动电路概述 1.6.2 晶闸管的触发电路 1.6.3 典型全控型器件的驱动电路 第69页/共89页 1-* 1.6.1 电力电子器件驱动电路概述 光耦合器的类型及接法 a) 普通型 b) 高速型 c) 高传输比型 E R a ) U in U out R 1 I C I D E R b ) R 1 E R c ) R 1 第70页/共89页 1-* 1.6.2 晶闸管的触发电路 I I M 理想的晶闸管触发脉冲电流波形 t1~t2?脉冲前沿上升时间（1?s）　t1~t3?强脉宽度 IM?强脉冲幅值（3IGT~5IGT） t1~t4?脉冲宽度　 I?脉冲平顶幅值（1.5IGT~2IGT） 晶闸管的触发电路 t t 1 t 2 t 3 t 4 常见的晶闸管触发电路 第71页/共89页 1-* 1.6.3 典型全控型器件的驱动电路 　推荐的GTO门极电压电流波形 t O u G O t i G 1) 电流驱动型器件的驱动电路 正的门极电流 5V的负偏压 (1)GTO 第72页/共89页 1-* 1.6.3 典型全控型器件的驱动电路 典型的直接耦合式GTO驱动电路 1) 电流驱动型器件的驱动电路 第73页/共89页 1-* 1.6.3 典型全控型器件的驱动电路 t O i b 理想的GTR基极驱动电流波形 (2) GTR 　GTR的一种驱动电路 1) 电流驱动型器件的驱动电路 第74页/共89页 1-* 1.6.3 典型全控