Ca、Ba掺杂Bi0.92Ho0.08Fe0.97Mn0.03O3薄膜制备及电性能研究.docVIP

Ca、Ba掺杂Bi0.92Ho0.08Fe0.97Mn0.03O3薄膜的制备及电性能研究 摘 要 BiFeO3是少数的单相多铁材料之一，具有扭曲的钙钛矿结构属于R3c点群，由立方结构沿[111]方向拉伸而形成的一种偏离理想钙钛矿结构的菱形结构，在室温下同时具有铁电有序和反铁磁有序，由于具有较高的铁电相变温度Tc=1103K）和磁相变温度TN=643K），在磁电传感器，自旋电子器件，存储器等方面有广泛的应用前景而得到关注。 以Bi(NO3）3·5H2O，FeNO3）3·9H2O，HoNO3）3·6H2O、Ca(NO3）2·4H2O、Ba(NO3)2和C4H6MnO4·4H2O为原料，采用溶胶-凝胶法在FTO/glass基底上制备BiFeO3、Bi0.92-xHo0.08CaxFe0.97Mn0.03O3和Bi0.92-xHo0.08BaxFe0.97Mn0.03O3薄膜。通过XRD，SEM，Agilent E4980A，TF 2000 Analysis 及Agilent B2901A测试对薄膜的物相、微观形貌、介电性、铁电性和漏电流等进行了表征和研究。得出以下结论： （1）在Bi0.92-xHo0.08CaxFe0.97Mn0.03O3薄膜中，当Ca的掺杂量为0.01时，薄膜的结构发生畸变，晶格畸变程度较大，薄膜具有较好的铁电性能，且漏电流相比于纯相BiFeO3有明显的降低。Bi0.91Ho0.08Ca0.01Fe0.97Mn0.03O3薄膜的晶粒发育良好，晶粒尺寸比纯相BiFeO3降低了薄膜的均匀性和致密度都较好。Bi0.91Ho0.08Ca0.01Fe0.97Mn0.03O3薄膜时在65V的外加电场下剩余极化值为88.18μC/cm2，相比于纯相BiFeO3提高了40倍，矫顽场为Ec=405kV/cm，且该薄膜的矩形度也相对较好。表现出较好的铁电性能，并且Ca掺杂0.01时的漏电流最小，比纯相有明显的降低。 在Bi0.92-xHo0.08BaxFe0.97Mn0.03O3薄膜中，Ba的掺杂量为0.03时，在电压为65V下剩余极化值Pr可达到71.24μC/cm2，相比于纯相BiFeO3提高了32倍，矫顽场为430kV/cm，且矩形度也相对较好，极大地增加了薄膜的铁电性能；Ba掺杂0.03和0.05时的漏电流较小，且介电损耗最小；Bi0.89Ho0.08Ba0.03Fe0.97Mn0.03O3薄膜晶格结构畸变程度较小，同时介电损耗也相对较小；其漏电流也相比于纯相有明显的降低。 关键词：溶胶－凝胶，BiFeO3，薄膜，掺杂，铁电 Study on Preparation and Electric Properties of Co-dopedBi0.92Ho0.08Fe0.97Mn0.03O3Thin Films ABSTRACT BiFeO3 is one of the few single-phase multiferroic materials， with distorted perovskite structure (R3c） and eight structural phases transition. The ideal cubic structure of the perovskite structure was stretched along (111） direction and the structure transformed into oblique hexagonal structure. The ferroelectric order and anti-ferromagnetic order both existed at room temperature. Due to the higher magnetic phase transition temperature (Tc=1103K） and the ferroelectric phase transition temperature (TN=643K), BiFeO3 has the wide application， such as in magnetoelectric sensors， self-spinning electronic devices and random access memory. It has attracted the increasing attention. Bi(NO3）3·5H2O， Fe(NO3）3·9H2O， Ho(NO3）3·6H2O， Ca(NO3）2·4H2O， Ba(NO3）2， C4H6MnO4·4H2O as raw materials， pure BiFeO3， Bi1-xDyxFeO3，