电场偏置对MOS器件电离辐射效应影响_刘远.pptxVIP

电场偏置对MOS 器件电离辐射效应的影响Dependence of Electric Field Bias on Ionizing Radiation Effect of MOS Devices;目;电场偏置对MOS 器件电离辐射效应的影响 摘　要:研究了外加电场对MOS 器件电离辐射效应的影响。采用 10keV X 射线对MOS器件在正/反电场偏置条件下进行总剂量辐射,分析了MOS器件辐射前后阈值电压的漂移量。实验结果表明,正偏情况下MOS 器件的阈值电压漂移量远大于反偏情况下MOS器件的阈值电压漂移量。基于一维连续性方程,在考虑电子-空穴对的复合/逃逸率、电子及空穴的捕获横截面与外加电场关系的基础上,模拟了辐射诱生栅氧化层内陷阱电荷与辐射总剂量之间的关系,分析了陷阱电荷对MOS器件阈值电压的影响,仿真结果与实验数据吻合良好. 关键词:　MOSFET ;栅氧化层;电离辐射;总剂量辐射;电场偏置 中图分类号:TN406 文献标识码:A 文章编号:1004-3365(2010)03-0440-04;概述 Introduction;样品与实验 Method Materials;3 计算公式推导 基于一维连续性方程,推导辐射诱生氧化层固定电荷密度随辐射总剂量的变化关系, 从而得到M OS 器件阈值电压随电离辐射总剂量的变化方程 。;图2可知，随着电场强度增加,电子捕获横截面将