高量子效率gan基led器件结构设计和工艺分析-structural design and process analysis of gan - based led devices with high quantum efficiency.docx

摘要GaN 基发光二极管（LED）因其寿命长、效率高、节能环保的优势备受关注。 随着外延技术、芯片技术、封装技术和应用技术的不断进步和发展， LED 的应用从 指示、背光等领域逐渐拓展到全彩显示、照明等高端领域。然而，限于目前的技术 水平，GaN 基 LED 量子效率还不高，迫切需要提高内量子效率和外量子效率，从而 增强发光效率。GaN 基 LED 内量子效率低与材料晶体质量差、应力大和电子捕获能 力差有关，外量子效率低与光在界面的反射而导致取光效率低有关。针对内量子效 率低，本论文设计并研制出了利用 AlInGaN/InGaN 多量子阱（MQW）作为电子发射 层的 LED 器件，有效地提高了内量子效率。与此同时，为了进一步提高 GaN 基 LED 器件的外量子效率，我们研究了图形化蓝宝石衬底、分布布拉格反射薄膜、隐形切 割技术对器件取光效率和可靠性的影响，实验表明这些技术可以改善器件的外量子 效率和可靠性。具体研究工作如下：（1）基于光电子器件理论，利用 Matlab 和 APSYS 软件研究了影响 GaN 基 LED 器件内量子效率的主要因素。研究发现内量子效率与俄歇复合和载流子漏溢关系密 切，随着俄歇复合和载流子漏溢加剧，LED 内量子效率也急剧降低。本论文采用 AlInGaN/InGaN 多量子阱作为电子发射层，通过模拟优化并制备出了性能较好的 AlInGaN/InGaN 多量子阱作为电子发射层的 LED。测试结果表明新结构量子效率得 到明显的改善。这主要归因于采用这样的 AlInGaN/InGaN 电子发射层之后，一方面 AlInGaN 相比较于 GaN 势垒具有更高的禁带宽度，能非常有效地降低垂直方向上的 电子迁移率并迫使电子做横向移动，可以提高电子捕获效率和改善电流的扩展能力； 另一方面晶体质量得到了提高，缺陷密度降低到 1.87×108/cm2。实验表明，采用新结 构的 LED 在 30V 反向偏压的情况下漏电流为 3.24μA，其发光效率提高约 26%，在 人体模式反向 5000V 静电释放（ESD）下仍然保持 70%的良率，其性能指标较原有 结构有较大提高。（2）基于蒙特卡罗方法进行非序列性光线追踪的原理，利用 Tracepro 软件，研 究了图形化衬底结构参数，如相邻图形单元的边缘间距，单位图形底面半径、高度以及侧面倾斜角度对 GaN 基 LED 取光效率的影响。通过比较取光效率的变化，得到了最优化的参数范围。通过优化光刻和电感耦合等离子（ICP）刻蚀工艺，获得了合 适的衬底图形，图形高度 1.5μm、侧面倾斜角度 50 度、相邻图形间距 0.5μm。通过 金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺外延后，图形化衬底能够有效地提高外延层的 晶体质量。X 射线衍射（XRD）测试图形化衬底的外延层（102）半峰宽从 285arcsec 降低到 264arcsec。同平面衬底的 GaN 基 LED 器件性能相比，采用图形衬底的 LED 的光通量提高了 27%。这主要是由于图形化衬底可以有效改变界面平均折射率，进 而改变光线路径，使得原本在界面处发生全反射的光被提取出去，从而有效地提高 了 LED 器件的取光效率。（3）利用 TFCalc 软件对全介质分布布拉格反射（DBR）膜和金属增强型分布布 拉格反射膜对 GaN 基 LED 取光效率的改善进行了研究。通过优化膜层结构，全介质 分布布拉格反射膜反射带内平均反射率可以大于 97%，能够有效地提高光的反射。此 外，全介质型分布布拉格反射膜较金属增强型分布布拉格反射膜的管芯，其光功率约 有 5.64％提高。为进一步验证器件可靠性，我们还将蒸镀有全介质分布布拉格反射膜 和传统未蒸镀分布布拉格反射膜的样品用环氧树脂封装成型后在 50℃高温下加速老 化 168 小时，其光通量保持率提高 27%，DBR 膜有效阻挡了 LED 光源对底胶的劣化。（4）激光表面切割技术的灼烧痕迹由于破坏了蓝宝石的晶体结构而吸光，影响 了 GaN 基 LED 的取光效率。隐形切割是利用皮秒激光器光子密度达到蓝宝石多光子 吸收阈值，蓝宝石吸收激光能量而破坏其价键的一种先进切割技术。对比两种切割 技术，发现隐形切割技术的裸晶光功率增加 11%，封装后光功率增加 6%。利用 X 射 线能谱分析法（EDS）研究了隐形切割断面中的 O/Al 原子比，发现仅在空腔周围有 非常小的原子比失配区域，其他区域仍然保持蓝宝石晶体结构，对光线的投射、反 射性能良好。此外，通过优化切割功率、聚焦深度、打点密度、调 Q 频率等工艺参 数，使得芯片漏电流异常得到控制。关键词：GaN 基 LEDAlInGaN/InGaN 电子发射层隐形切割 图形化蓝宝石衬底量子效率取光效率AbstractGaN based Light-Em