电子技术基础 模拟部分 第五版 第3章.pptxVIP

; 3.1.1 半导体材料;;;;; 1. N型半导体; 2. P型半导体; 3. 杂质对半导体导电性的影响;;3.2 PN结的形成及特性; 3.2.1 载流子的漂移与扩散;;; 在一块本征半导体两侧通过扩散不同的杂质,分别形成N型半导体和P型半导体。此时将在N型半导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程:;;;; PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流； PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。 由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。;;;;;3.3 二极管;3.3.1 二极管的结构;;;;3.4 二极管的基本电路及其分析方法;3.4.1 简单二极管电路的图解分析方法;例3.4.1 电路如图所示，已知二极管的V-I特性曲线、电源VDD和电阻R，求二极管两端电压vD和流过二极管的电流iD 。 ;;;;;;;2．模型分析法应用举例;2．模型分析法应用举例;2．模型分析法应用举例;41;2．模型分析法应用举例;end;3.5 特殊二极管;;2. 稳压二极管主要参数;2. 稳压二极管主要参数;2. 稳压二极管主要参数;3. 稳压电路;;;52;3.5.2 变容二极管（高频选频）;3.5.3 肖特基二极管（电容效应小，适于高频）;3.5.4 光电子器件;3.5.4 光电子器件;3.5.4 光电子器件;3.5.4 光电子器件;59