第六篇 章半导体探测器 辐射测量原理课件.pptVIP

第六章半导体探测器; 半导体探测器的基本原理是带电粒子在半导体探测器的灵敏体积内产生电子－空穴对，电子－空穴对在外电场的作用下漂移而输出信号。;半导体探测器的特点：;6.1 半导体的基本性质;2) 杂质半导体;Doping with valence 5 atoms;6.2 P-N结半导体探测器;(2) P-N结的漏电流 ;(3) 外加电场下的P-N结： ; 即:在使结区变宽的同时，IG 增加, IS不变，If减小，并出现IL，此时表现的宏观电流称为暗电流。;2) P-N结半导体探测器的特点 ;电场为非均匀电场：;(2) 结区宽度与外加电压的关系;耗尽区的总宽度：;(3) 结区宽度的限制因素;(4) 结电容随工作电压的变化; 结区电容随外加电压变化而变化，外加电压的不稳定可以影响探测器输出电压幅度的不稳定。;6.2.2、P-N结半导体探测器的类型;2) 扩散结(Diffused Junction)型探测器;6.2.4、主要性能;能量分辨率可用FWHM表示：;(2) 探测器和电子学噪声;(3) 窗厚度的影响;2） 分辨时间与时间分辨本领：; 由于一般半导体材料的杂质浓度和外加高压的限制，耗尽层厚度为1～2mm。 对强穿透能力的辐射而言，探测效率受很大的局限。;6.3 锂漂移半导体探测器;2) P-I-N结的形成;2) 工作条件;3) 由于PIN探测器能量分辨率的大大提高，开创了?谱学的新阶段。;6.4 高纯锗(HPGe)半导体探测器;6.4.1. 高纯锗探测器的工作原理;6.5.3. 性能;2) 探测效率;The End !;作业：